[发明专利]改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法

权利要求书

1、一种改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法，可应用于半导体制程的纯硅晶层中，该方法包括下列步骤：

藉由低能量离子植入方式将离子打入该纯硅晶层中；

经由清洗与氧化步骤以保护芯片表面与延缓表面状态随时间改变的速度；以及

经由加热程序以修复遭受破坏的纯硅晶层晶格结构。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，该低能量系可小于10Kev。

3、如权利要求1所述的方法，其特征在于，该离子为一砷离子。

4、如权利要求1所述的方法，其特征在于，该纯硅晶层上方具有自然氧化层。

5、如权利要求4所述的方法，其特征在于，该步骤(b)的清洗与氧化步骤包括下列步骤：

b1)经由稀氢氟酸清洗以除去该纯硅晶层上方的自然氧化层；

b2)经由稀氢氯酸清洗以除去该纯硅晶层表面的污染物；以及

b3)经由臭氧水浸洗以在该纯硅晶层上方形成一化学氧化层。

6、如权利要求1所述的方法，其特征在于，该加热程序为一快速加热程序。

7、如权利要求6所述的方法，其特征在于，该快速加热程序是快速持续升温至一温度后则立即冷却至室温。

8、一种改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法，可应用于半导体制程的纯硅晶层中，而该纯硅晶层上方具有自然氧化层，该方法包括下列步骤：

藉由低能量离子植入方式将离子打入此纯硅晶层中；

去除该自然氧化层与在该纯硅晶层上形成一化学氧化层以保护芯片表面与延缓表面状态随时间改变的速度；以及

经由加热程序以修复遭受破坏的纯硅晶层晶格结构。

9、如权利要求8所述的方法，其特征在于，该低能量小于10Kev。

10、如权利要求8所述的方法，其特征在于，该离子为一砷离子。

11、如权利要求8所述的方法，其特征在于，该步骤(b)中的去除该自然氧化层与形成一化学氧化层的步骤包括下列步骤：

b1)经由稀氢氟酸清洗以除去该纯硅晶层上方的该自然氧化层；以及

b2)经由臭氧水浸洗以在该纯硅晶层上方形成一化学氧化层。

12、如权利要求11所述的方法，其特征在于，该步骤(b1)之后还包括一经由稀氢氯酸清洗以除去该纯硅晶层表面的污染物的步骤。

13、如权利要求8所述的方法，其特征在于，该加热程序为一快速加热程序。

14、如权利要求13所述的方法，其特征在于，该快速加热程序是快速持续升温至一温度后则立即冷却至室温。

15、一种改善低能量离子植入下的片电阻量测值稳定性的方法，可应用于半导体制程的纯硅晶层中，而该纯硅晶层上方具有自然氧化层，其特征在于，该方法包括下列步骤：

藉由低能量离子植入方式将砷离子打入此该硅晶层中；

经由稀氢氟酸清洗以除去该纯硅晶层上方的该自然氧化层；

经由稀氢氯酸清洗以除去该纯硅晶层表面的污染物；

经由臭氧水浸洗以在该纯硅晶层上方形成一化学氧化层；以及

经由加热程序以修复遭受破坏的纯硅晶层晶格结构。

16、如权利要求15所述的方法，其特征在于，该低能量小于10Kev。

17、如权利要求15所述的方法，其特征在于，该快速加热程序为快速持续升温至一温度后则立即冷却至室温。