[发明专利]用于降低源漏极间电阻的MOS场效应管及其制造方法

权利要求书

1.一种MOS场效应晶体管，包括：

一个半导体衬底；

一个形成在半导体衬底上的一个栅绝缘层；和

一个形成在栅绝缘层上的栅电极；

形成在半导体衬底上部栅电极各侧的深源/漏区；

形成在半导体衬底的上部、从深源/漏区向沟道区延伸至栅电极以下的源/漏延伸区，源/漏延伸区比深源/漏区薄；

具有第一厚度的第一硅化物层部分，第一硅化物层部分形成在每个深源/漏区的上表面；和

一个具有薄于硅化物层第一厚度的第二厚度的第二硅化物层部分，该部分从第一硅化物层部分延伸到每个源/漏延伸区的预定上部。

2.如权利要求1所述的MOS场效应晶体管，其特征在于每个源/漏延伸区包括：

第一源/漏延伸区；和

一个设置在第一源/漏延伸区与相应的深源区之间的第二源/漏延伸区，第二源/漏延伸区比第一源/漏延伸区深，并且比深源/漏区浅。

3.如权利要求2所述的MOS场效应晶体管，其特征在于第二硅化物层部分形成在每个第二源/漏延伸区的上部中。

4.如权利要求1所述的MOS场效应晶体管，还包括形成在栅绝缘层和栅电极侧壁上的隔离物。

5.如权利要求4所述的MOS场效应晶体管，其特征在于第一源/漏延伸区的长度由间隔的厚度限定。

6.如权利要求1所述的MOS场效应晶体管，其特征在于第一和第二硅化物层部分形成一个阶梯的形状。

7.如权利要求1所述的MOS场效应晶体管，其特征在于第二硅化物层选自硅化钴层，硅化钛层，硅化镍层，硅化钨层，硅化铂层，硅化铪层或硅化钯层。

8.一种制造MOS场效应晶体管的方法，该晶体管具有顺序地形成在半导体衬底上的栅绝缘层和栅电极，所述方法包括步骤：

通过利用栅电极作为离子嵌入掩膜嵌入杂质离子而在半导体衬底中形成第一源/漏延伸区；

在栅电极和栅绝缘膜的侧壁上形成第一隔离物，通过利用第一隔离物和栅电极作为离子嵌入掩膜执行杂质离子嵌入而形成比第一源/漏延伸区深的第二源/漏延伸区；

在第一隔离物的外壁上形成第二隔离物；

通过利用第二隔离物和栅电极作为离子嵌入掩膜执行杂质离子嵌入而形成比第二源/漏延伸区深的深源/漏区；

在每个深源/漏区的上部形成具有第一厚度的第一硅化物层；

去除第二隔离物层以暴露第二源/漏延伸区的表面；和

在每个暴露的第二源/漏延伸区的上部中形成具有第二厚度的第二硅化物层。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于第二隔离物由一种可以被相对于第一隔离物选择蚀刻的材料形成。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于形成第一硅化物层部分的步骤包括这些步骤：

在具有第二隔离物的所得结构的整个表面上形成一个金属层；

通过执行回火处理在金属层和每个深源/漏区之间形成第一硅化物层；和

去除没有与深源/漏区反应的金属层。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于金属层选自钴层，钛层，镍层，钨层，铂层，铪层或钯层。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于第二硅化物层选自硅化钴层、硅化钛层、硅化镍层、硅化钨层、硅化铂层、硅化铪层或一个硅化钯层。

13.如权利要求12所述的方法，其特征在于当第二硅化物层部分是一个硅化钴层或硅化钛层时，形成第二硅化物层的步骤包括：

在所得结构的整个表面上形成钴或钛组成的金属层，其中第二源/漏延伸区暴露，使得硅化物层自然地形成在金属层和每个第二源/漏延伸区之间；

通过执行回火过程转变自然形成的硅化物层的相；和

除去没有与第二源/漏延伸区反应的金属层。