[发明专利]等离子体显示器阻隔壁的制造方法无效
申请号: | 01112394.X | 申请日: | 2001-04-06 |
公开(公告)号: | CN1379428A | 公开(公告)日: | 2002-11-13 |
发明(设计)人: | 许国彬 | 申请(专利权)人: | 达碁科技股份有限公司 |
主分类号: | H01J9/00 | 分类号: | H01J9/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 李瑞海 |
地址: | 台湾省新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 显示器 阻隔 制造 方法 | ||
1.一种等离子体显示器的阻隔壁的制造方法,包括:
提供一玻璃基板;
于所述玻璃基板上形成多个定址电极;
于所述定址电极和所述玻璃基板上覆盖一介电层;
于所述介电层上形成一喷砂终止层材料,并定义形成多个喷砂终止层,这些喷砂终止层大致对应于这些定址电极,且每一喷砂终止层的宽度不小于每一定址电极的宽度;
于所述介电层上覆盖一阻隔材料层;
于所述阻隔材料层上形成一砂阻层材料并定义形成多个砂阻层;
进行一喷砂工艺,去除未被这些砂阻层覆盖的阻隔材料层,直至暴露出所述喷砂终止层,以形成多个阻隔壁;
去除所述砂阻层和所述喷砂终止层;以及
进行一烧结程序。
2.如权利要求1所述的等离子体显示器阻隔壁的制造方法,其中所述喷砂终止层的形成方法包括:
(a)进行一压膜工序,以于所述介电层上形成一第一感光性干膜;以及
(b)对所述第一感光性干膜进行一曝光显影工艺,以形成所述喷砂终止层。
3.如权利要求1所述的等离子体显示器阻隔壁的制造方法,其中所述砂阻层的形成方法包括:
(a)进行一压膜工序,以于所述阻隔材料层上形成一第二感光性干膜;以及
(b)对所述第二感光性干膜进行一曝光显影工艺,以形成所述砂阻层。
4.如权利要求3所述的等离子体显示器阻隔壁的制造方法,其中所述砂阻层和所述喷砂终止层间的水平距离为一预定值。
5.如权利要求3所述的等离子体显示器阻隔壁的制造方法,其中每两个喷砂终止层之间具有一间距,且所述每一阻隔壁具有一底部宽度,所述间距大致与所述底部宽度相同。
6.如权利要求3所述的等离子体显示器阻隔壁的制造方法,其中每一个砂阻层具有一砂阻层宽度,且所述每一阻隔壁具有一顶部宽度,所述砂阻层宽度大致与所述顶部宽度相同。
7.如权利要求1所述的等离子体显示器阻隔壁的制造方法,其中所述阻隔壁的形状为直条状。
8.如权利要求1所述的等离子体显示器阻隔壁的制造方法,其中所述阻隔壁的形状为具有凹凸侧边的条状,用以增加放电空间。
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