[发明专利]在绝缘层硅材料上制作多模干涉型光耦合器的方法无效
| 申请号： | 01113449.6 | 申请日： | 2001-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1153076C | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 唐衍哲;王文辉;李铁;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | G02B6/26 | 分类号： | G02B6/26;G03F7/16 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘 材料 制作 干涉 耦合器 方法 | ||
【权利要求书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海冶金研究所，未经中国科学院上海冶金研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01113449.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：掺饵光纤及其制造方法和掺饵光纤放大器
- 下一篇：光导纤维连接器组件
