[发明专利]高Tc铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件无效
| 申请号： | 01113731.2 | 申请日： | 2001-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN1379460A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杨彬;胡卫生;陈延峰;刘治国;闵乃本 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L21/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tc 薄膜 取向 控制 生长 方法 存储器 原型 器件 | ||
【权利要求书】：
1、高TC铁电薄膜取向控制生长方法，其特征是利用脉冲激光沉积方法(PLD)在衬底上生长高TC铁电薄膜，生长的铁电薄膜主要为Bi3TiNbO9(BTN)和Bi3TiTaO9(BTT)，在薄膜的生长过程中外加一个与衬底表面垂直的静电场E，生长温度低于Tc。
2、由权利要求1所述的高TC铁电薄膜取向控制生长方法其特征是衬底材料是：Pt/Ti/SiO2/Si，Pt/TiO2/SiO2/Si和Si(001)。
3、由权利要求1所述的高TC铁电薄膜取向控制生长方法，其特征是生长的铁电薄膜材料为BiFeO3；YMnO3；ErMnO3；HoMnO3；YbMnO3，PbNbO3；Bi4Ti3O12；Ni3B7O13Cl。
4、由权利要求1所述的高TC铁电薄膜取向控制生长方法，其特征是静电场E为5-500V/cm。
5、由权利要求1所述的高TC铁电薄膜取向控制生长方法，其特征是生长铁电薄膜Bi3TiNbO9(BTN)和Bi3TiTaO9(BTT)，静电场E为80-150V/cm。
6、高TC铁电薄膜铁电存储器原型器件：其特征是在衬底材料Pt/Ti/SiO2/Si，Pt/TiO2/SiO2/Si和Si(001)上生长铁电薄膜Bi3TiNbO9(BTN)和铋酸钛钽(BTT)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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