[发明专利]高Tc铁电薄膜取向控制生长方法及铁电存储器原型器件无效

专利信息
申请号: 01113731.2 申请日: 2001-06-27
公开(公告)号: CN1379460A 公开(公告)日: 2002-11-13
发明(设计)人: 杨彬;胡卫生;陈延峰;刘治国;闵乃本 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L21/70 分类号: H01L21/70;H01L21/00
代理公司: 南京知识律师事务所 代理人: 陈建和
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: tc 薄膜 取向 控制 生长 方法 存储器 原型 器件
【权利要求书】:

1、高TC铁电薄膜取向控制生长方法,其特征是利用脉冲激光沉积方法(PLD)在衬底上生长高TC铁电薄膜,生长的铁电薄膜主要为Bi3TiNbO9(BTN)和Bi3TiTaO9(BTT),在薄膜的生长过程中外加一个与衬底表面垂直的静电场E,生长温度低于Tc。

2、由权利要求1所述的高TC铁电薄膜取向控制生长方法其特征是衬底材料是:Pt/Ti/SiO2/Si,Pt/TiO2/SiO2/Si和Si(001)。

3、由权利要求1所述的高TC铁电薄膜取向控制生长方法,其特征是生长的铁电薄膜材料为BiFeO3;YMnO3;ErMnO3;HoMnO3;YbMnO3,PbNbO3;Bi4Ti3O12;Ni3B7O13Cl。

4、由权利要求1所述的高TC铁电薄膜取向控制生长方法,其特征是静电场E为5-500V/cm。

5、由权利要求1所述的高TC铁电薄膜取向控制生长方法,其特征是生长铁电薄膜Bi3TiNbO9(BTN)和Bi3TiTaO9(BTT),静电场E为80-150V/cm。

6、高TC铁电薄膜铁电存储器原型器件:其特征是在衬底材料Pt/Ti/SiO2/Si,Pt/TiO2/SiO2/Si和Si(001)上生长铁电薄膜Bi3TiNbO9(BTN)和铋酸钛钽(BTT)。

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