[发明专利]活塞环表覆钛基纳米陶瓷及其方法无效

专利信息
申请号: 01114470.X 申请日: 2001-05-18
公开(公告)号: CN1320767A 公开(公告)日: 2001-11-07
发明(设计)人: 陈力学;顾雨青 申请(专利权)人: 陈力学
主分类号: F02F5/00 分类号: F02F5/00;C23C14/46
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410012 湖南省长沙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 活塞环 表覆钛基 纳米 陶瓷 及其 方法
【权利要求书】:

1、活塞环表覆钛基纳米陶瓷,其特征在于活塞环表面沉积钛基纳米陶瓷覆盖层,形成表面镀膜。

2、根据权利要求1所述的活塞环表覆钛基纳米陶瓷,其特征在于其表面镀膜的靶材为纯Ti,渗涂层为TiCN,呈紫红色,硬度达2300-3000HV,

3、根据权利要求1所述的活塞环表覆钛基纳米陶瓷,其特征在于其表面镀膜的靶材为TiAlZr,含Al30-50%,Zr或Nb为2-5%,渗涂层为TiAlZr(CN),呈黑色。

4、根据权利要求1所述的活塞环表覆钛基纳米陶瓷,其特征在于其表面镀膜的靶材为TiCrNi,含Cr40-60%,Ni5-10%,渗涂层为TiCrNi(CN),呈浅黄色或紫黑色。

5、活塞环表覆钛基纳米陶瓷的方法,是采用PVD真空多弧离子镀模技术,在活塞环表面沉积钛基纳米陶瓷覆盖层,形成表面镀膜,其方法的特征在于:依次进行下述工艺方法加工活塞环工件

1)将待镀工件用溶济或纯水并藉助超声波反复清洗,直至确认工件表面干净为止

2)将清洗后的工件装入真空离子镀膜机内抽空至6.7×10-3Pa,再加温至200℃-400℃,然后保温0.5-1小时。

3)通氩气Ar至真空离子镀膜机炉内,使炉内压分维持在5-10Pa,在1000-1500V电压下辉光清洗30-60分钟。

4)然后,将炉内Ar压力降至1Pa左右,引弧使靶材蒸发,在1000-1500V电压下对工件表面进行钛基混合等离子轰击约30-40分钟。

5)确认工件表面清洗干净后,关闭Ar气体,炉内通入N2及含碳的气体,例如乙炔,经下列程序:施800V电压15分钟→600V压15分钟→400V电压15分钟→200V电压15分钟→100V电压15分钟→50V电压30分钟,然后待炉温降至60℃以下时,工件出炉,工件表面即可形成3-5um的钛基纳米陶瓷薄膜覆盖层,形成表面镀膜。

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