[发明专利]用于抗蚀剂流动工艺的光致抗蚀剂组合物以及使用所述组合物形成接触孔的方法

权利要求书

1．一种光致抗蚀剂组合物，其包括光致抗蚀剂树脂、光酸生成剂和有机溶剂，其中，所述光致抗蚀剂树脂包括：

(a)含有如下式化合物的第一共聚物：     1其中，R₁为H；(C₁-C₁₀)烷基或芳基；以及

a∶b的比例为20～80mol％∶80～20mol％；以及(b)含有如下式化合物的第二共聚物      2

其中，R₂为酸不稳定保护基团；以及

      c∶d∶e的比例为30～70mol％∶28～50mol％∶2～15mol％。

2．如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述光致抗蚀剂组合物用于光致抗蚀剂流动工艺。

3．如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述酸不稳定保护基团选自叔丁基、四氢吡喃-2-基、2-甲基四氢吡喃-2-基、四氢呋喃-2-基、2-甲基四氢呋喃-2-基、1-甲氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基乙基、1-乙氧基丙基、1-乙氧基-1-甲基乙基、1-甲氧基乙基、1-乙氧基乙基、1-叔-丁氧基乙基、1-异丁氧基乙基和2-acetylmenth-1-基。

4．如权利要求1所述光致抗蚀剂组合物，其中，所述第一共聚物具有下式：       1a其中：R₁为CH₃；以及

a∶b的比例为20～80mol％∶80～20mol％以及所述具有下式的第二共聚物：       2a

其中，R₂为叔丁基；以及

      c∶d∶e的比例为30～70mol％∶28～50mol％∶2～15mol％。

5．如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述第一共聚物与所述第二共聚物的比例为20～80％重量：20～80％重量。

6．如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述光酸生成剂选自碘化二苯基六氟代磷酸酯、碘化二苯基碘代六氟代砷酸酯，碘化二苯基六氟化锑酸酯、二苯基对甲氧基苯基triflate、二苯基对-甲苯基triflate、二苯基对-异丁苯基triflate、二苯基对叔丁苯基triflate、三苯基锍六氟代磷酸酯、三苯基锍六氟代砷酸酯、三苯基锍六氟代锑酸酯、三苯基锍triflate、二丁基萘基锍triflate、及其混合物。

7．如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中所述光酸生成剂的含量为光致抗蚀剂树脂重量的0.05～0.3％。

8．如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，所述有机溶剂选自亚丙基乙二醇甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯和环己酮。

9．如权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物，其中，所述有机溶剂的含量为光致抗蚀剂树脂重量的400～800％。

10．一种形成光致抗蚀剂图形的方法，包括步骤：

(a)将权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物涂敷于半导体元件的基底上，形成光致抗蚀剂膜；

(b)采用光刻工艺形成第一光致抗蚀剂图形；以及

(c)采用光致抗蚀剂流动工艺由所述第一光致抗蚀剂图形生成第二光致抗蚀剂图形。

11．如权利要求10所述的方法，其中，所述抗蚀剂流动工艺包括将所述第一抗蚀剂图形加热至约140到170℃的温度范围。

12．如权利要求10所述的方法，其中，所述第一和第二光致抗蚀剂图形含有接触孔图形。

13．一种由权利要求10所述方法制备的半导体元件。