[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括衬底、形成于衬底上的第一导电型半导体区域、第一电极及第二电极；其特征在于：

具有六角堆积结晶结构，并根据六角堆积结晶面对应切割形成的菱形衬底；

还包括：

形成在第一导电型半导体区域的部分区域上的第二导电型半导体区域；

形成于第一导电型半导体区域的除了上述第二导电型半导体区域外的其他区域上的至少一第一接触区；

形成于第二导电型半导体区域上的至少一第二接触区；

第一电极设于第一接触区上；

第二电极设于第二接触区上；

菱形衬底、第一导电型半导体区域及第二导电型半导体区域由具有相同六角堆积结晶结构的半导体材料构成。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于：

所述菱形衬底具有两个呈60°的相对锐角及两个呈120°的相对钝角。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一导电型半导体区域为n型半导体区域，且形成于第一导电型半导体区域上的第一接触区的数量为一个；而第二导电型半导体区域为p型半导体区域，形成于其上的第二接触区的数量为一个。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一导电型半导体区域未被第二导电型半导体区域覆盖的部分区域为位于菱形衬底的一锐角处的一个三角形区域，且所述第一接触区形成在所述三角形区域上，而第二导电型半导体区域位于所述菱形衬底的其他区域；所述第二接触区形成在第二导电型半导体区域上，并使设于第一接触区及第二接触区上的第一电极及第二电极分别形成在所述菱形衬底的二相对锐角处。

5.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一导电型半导体区域未被第二导电型半导体区域覆盖的部分区域包括位于所述菱形衬底一锐角处的三角形区域及由三角形区域两端沿所述菱形衬底周缘延伸至另一锐角处的环形区域，使得形成在所述第一接触区上的第一电极成为环状电极。

6.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于：

所述形成在第二接触区上的第二电极包括位于菱形衬底另一锐角处的三角形区域及由所述三角形区域往外沿第二接触区内周缘环绕延伸的环形区域，成为环状电极。

7.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一导电型半导体区域未被第二导电型半导体区域覆盖的部分区域包括位于所述菱形衬底一锐角处的三角形区域及由三角形区域两端沿所述菱形衬底周缘延伸至另一锐角处的环形区域，使得形成在第一接触区上的第一电极成为外环状电极；且形成在第二接触区上的第二电极为一内环状电极，其包括位于菱形衬底另一锐角处的三角形区域以及由三角形区域往外沿第二接触区内周缘环绕延伸的环形区域。

8.如权利要求4或5或6或7所述的半导体元件，其特征在于：

所述第一接触区及第二接触区上形成有一金属接触薄膜层。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其特征在于：

所述菱形衬底、第一导电型半导体区域及第二导电型半导体区域由具有六角堆积结晶结构的氮化镓半导体材料构成，第一导电型半导体区域包括位于下层的一n+型氮化镓层及位于上层的一n型氮化镓层，第二导电型半导体区域包括位于下层的一p型氮化镓层及一位于上层的一p+型氮化镓层。

10.一种半导体元件的制造方法，其特征在于：

包括下列步骤：

a、提供一晶体片片衬底，衬底上形成第一导电型半导体区域及在第一导电型半导体区域上形成的第二导电型半导体区域所构成的半导体层，且该衬底及第一、第二导电型半导体区域为具有相同六角堆积结晶结构的半导体材料；

b、根据步骤a的晶体圆片结晶面方向，于晶片上定义数个由至少一第一接触区及与该第一接触区相邻的至少一第二接触区所构成的菱形区块；

c、将位于各菱形区块中的第一接触区内的第二导电型半导体区域去除，使第一导电型半导体区域的一部分露出；

d、在各菱形区块中露出第一导电型半导体区域的一部分的第一接触区上形成第一电极；

e、在各菱形区块中保留第二导电型半导体区域的第二接触区上形成第二电极；

f、沿该等菱形区块的边线进行切割程序，即可获得菱形半导体元件晶粒。