[发明专利]非挥发性铁电内存感测方法无效
| 申请号： | 01116033.0 | 申请日： | 2001-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN1385858A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 林金溪;翁启明 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 挥发性 内存 方法 | ||
1.一种用以感测一以一字符线，两条位线和一条电容驱动线所驱动包含两晶体管和两铁电电容的非挥发性铁电电容内存电路的方法，其中该两条位线连接至一感应放大器，该方法至少包含下列步骤：
驱动该两条位线至逻辑电压值“1”位准；
驱动该条电容驱动线至逻辑电压值“1”位准；以及
开启该感应放大器以读出该两条字符线的逻辑电压值差异。
2.如权力要求1所述的方法，其中上述的驱动该两条位线至逻辑电压值“1”位准主要是使该两铁电电容从不同的极化方向改变成同一极化方向。
3.如权力要求1所述的方法，其中上述的驱动该条电容驱动线至逻辑电压值“1”位准主要是使该两铁电电容从相同的极化方向改变成不同的极化方向。
4.如权力要求1所述的方法，其中上述的开启该感应放大器以读出该两条字符线的逻辑电压值差异，还包括下列步骤：
比较该两条位线的逻辑电压值高低；
拉升逻辑位准高的该条位线至逻辑电压值“1”位准；以及
降低逻辑位准低的该条位线至逻辑电压值“0”位准。
5.一种用以感测一以一字符线，两条位线和一条电容驱动线所驱动包含两晶体管和两铁电电容的非挥发性铁电电容内存电路的方法，其中该两条位线连接至一感应放大器，该方法至少包含下列步骤：
预充该两条位线至逻辑电压值“1”位准；
设定该字符线和该电容驱动线于逻辑电压值“0”位准；
将该字符线从逻辑电压值“0”位准拉升至逻辑电压值“1”位准；
将该电容驱动线从逻辑电压值“0”位准拉升至逻辑电压值“1”位准；
开启该感应放大器以读出该两条字符线的逻辑电压值差异；
将该电容驱动线从逻辑电压值“1”位准降为逻辑电压值“0”位准；
关闭该感应放大器，并对该两条位线进行放电；以及
将该字符线从逻辑电压值“1”位准降至逻辑电压值“0”位准。
6.如权力要求5所述的方法，其中上述的预充该两条位线至逻辑电压值“1”位准后，让该两条位线处于浮动(floating)状态。
7.如权力要求5所述的方法，其中上述的将该字符线从逻辑电压值“0”位准拉升至逻辑电压值“1”位准时，该电容驱动线仍保持在逻辑“0”位准。
8.如权力要求5所述的方法，其中上述的将该电容驱动线从逻辑电压值“0”位准拉升至逻辑电压值“1”位准时，该感应放大器仍未激活。
9.如权力要求5所述的方法，其中上述的开启该感应放大器以读出该两条字符线的逻辑电压值差异，还包括下列步骤：
比较该两条位线的逻辑电压值高低；
拉升逻辑位准高的该条位线至逻辑电压值“1”位准；以及
降低逻辑位准低的该条位线至逻辑电压值“0”位准。
10.如权力要求5所述的方法，其中上述的对该两条位线进行放电是指将该两条位逻辑电压值降为“0”位准。
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