[发明专利]形状记忆合金无效
申请号: | 01116241.4 | 申请日: | 2001-02-07 |
公开(公告)号: | CN1317595A | 公开(公告)日: | 2001-10-17 |
发明(设计)人: | 菊池武丕儿;梶原节夫;刘道志;小川一行;新谷纪雄 | 申请(专利权)人: | 文部科学省金属材料技术研究所长代表的日本国 |
主分类号: | C22C38/04 | 分类号: | C22C38/04;C22C38/58;C22C38/08 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形状 记忆 合金 | ||
1.含有碳化铌的形状记忆合金,该形状记忆合金是至少含有Fe、Mn和Si作为主要组成成分的Fe-Mn-Si系形状记忆合金,其特征在于在其组织中含有碳化铌。
2.权利要求1所述的形状记忆合金,其中还含有Cr或Cr和Ni作为主要组成成分。
3.权利要求1或2所述的形状记忆合金,其中以组织的体积比率计算,碳化铌的含量是0.1-1.5%。
4.权利要求1-3中任一项所述的形状记忆合金,其中在合金的组成中铌与碳的比例为Nb/C(原子比)≥1。
5.含有碳化铌的形状记忆合金的制造方法,该方法是上述权利要求1-4中任一项所述的形状记忆合金的制造方法,其特征在于将添加铌和碳而熔炼成的合金在1000-1300℃的温度范围内进行均匀化热处理,然后在400-1000℃的温度范围内进行时效处理,使碳化铌析出。
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