[发明专利]伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法无效
| 申请号： | 01116579.0 | 申请日： | 2001-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN1380687A | 公开（公告）日： | 2002-11-20 |
| 发明（设计）人： | 林平伟;姜兆声;游曜声 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 伴随 介电层 形成 阻挡 半导体 制造 方法 | ||
1.一种伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，至少包括步骤：
在未施加偏向高频电压状态下，使用一反应气体混合物在一晶片上形成一阻挡层；以及
在施加偏向高频电压状态下，使用该反应气体混合物，在该阻挡层上形成一介电层。
2.如权利要求1所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述反应气体混合物为氢化硅与氧气的混合物，由该反应气体混合物所形成于该晶片上的阻挡层为一多硅基氧化物层。
3.如权利要求1所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述的反应气体混合物形成该阻挡层时的反应时间为3秒至8秒。
4.如权利要求1所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述的反应气体混合物形成该阻挡层时的反应温度为摄氏400度至600度。
5.如权利要求1所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述反应气体混合物形成该阻挡层时的反应压力为4至8mTorr。
6.如权利要求1所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述的介电层是利用一高密度等离子体化学气相沉积方式形成。
7.如权利要求1所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述的介电层为一无掺杂玻璃层(Undoped Silicate Glass，USG)。
8.如权利要求1所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述的反应气体混合物形成该介电层时的反应时间为20秒至50秒。
9.如权利要求1所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述的反应气体混合物该介电层时的反应温度为摄氏600度至700度。
10.如权利要求1所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述的反应气体混合物形成该介电层时的反应压力为4至7mTorr。
11.如权利要求1所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述的反应气体混合物形成该介电层时，所施加的偏向高频电压为1000V～4000V，其沉积/溅射比为2.0至8.0。
12.如权利要求2所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述的反应气体混合物在形成该阻挡层时的反应气体流量为氢化硅(SiH4)为150±100sccm、氧气(O2)为215±100sccm。
13.如权利要求7所述的伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法，其中上述的反应气体混合物在形成该介电层时的反应气体流量为氢化硅为150±100sccm、氧气为375±150sccm。
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