[发明专利]荧光体薄膜、其制造方法和EL面板有效
| 申请号： | 01116810.2 | 申请日： | 2001-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1318616A | 公开（公告）日： | 2001-10-24 |
| 发明（设计）人： | 矢野义彦 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/77 | 分类号： | C09K11/77;G09F9/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 荧光 薄膜 制造 方法 el 面板 | ||
【权利要求书】：
1．一种荧光体薄膜，其中：母体材料以稀土族硫化物或稀土族硒化物为主要成分，添加与母体材料中使用的稀土族元素不同的稀土族元素作为发光中心。
2．权利要求1所述的荧光体薄膜，其中：母体材料以从稀土族硫铝化物、稀土族硫镓化物和稀土族硫铟化物中选出来的至少一种化合物为主要成分。
3．权利要求1或2所述的荧光体薄膜，其中：在上述母体材料中使用的稀土族元素为从Y、La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Ho和Er中选出的元素。
4．权利要求1～3中任一项所述的荧光体薄膜，其中：上述母体材料是镧硫铝化物、钕硫铝化物。
5．权利要求1～4中任一项所述的荧光体薄膜，其中：作为上述发光中心掺进的稀土族元素，至少是从Ce、Eu、Tb和Tm中选出来的一种元素。
6．一种EL面板，其中具有上述权利要求1～5所述的荧光体薄膜。
7．一种硫化物薄膜的制造方法，是用蒸镀法形成上述权利要求1的荧光体薄膜的制造方法，其中：
在已导入了H2S气体的真空槽内，至少具有稀土族金属蒸发源、已掺进发光中心的Ⅲ族硫化物蒸发源，
使稀土族金属和Ⅲ族硫化物原料从这些蒸发源中分别蒸发，并淀积到基板上时，各原料物质与H2S气体结合，得到硫化物荧光体薄膜。
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