[发明专利]抛光组合物有效
申请号: | 01116934.6 | 申请日: | 2001-05-11 |
公开(公告)号: | CN1323864A | 公开(公告)日: | 2001-11-28 |
发明(设计)人: | 内藤宏一;藤井滋夫 | 申请(专利权)人: | 花王株式会社 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 白益华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 抛光 组合 | ||
1.一种含磨料和水的抛光组合物,其中所述的磨料的粒度分布是:
(1)D90与D50的比值为1.3-3.0,
(2)D50是10-600纳米,其中D90定义为累积粒度分布中在数目基础上从小粒度一侧计数至90%的粒度,D50定义为累积粒度分布中在数目基础上从小粒度一侧计数至50%的粒度。
2.如权利要求1所述的抛光组合物,其特征在于所述的磨料的粒度分布是D10为5-100纳米,其中D10定义为累积粒度分布中在数目基础上从小粒度一侧计数至10%的粒度。
3.一种含有两种或更多种D50彼此不同的磨料和水的抛光组合物,其中D50L与D50S的比值是1.1-3.0,磨料A与磨料B的重量比是90/10-10/90,其中D50定义为累积粒度分布中在数目基础上从小粒度一侧计数至50%的粒度,磨料A规定为具有最小D50的磨料,磨料B规定为具有最大D50的磨料,D50L定义为磨料B具有的D50,D50S定义为磨料A具有的D50。
4.如权利要求1所述的抛光组合物,其特征在于所述的磨料是胶态氧化硅。
5.如权利要求3所述的抛光组合物,其特征在于所述的磨料是胶态氧化硅。
6.一种含磨料和水的抛光组合物,其中磨料的粒度分布是:(3)在累积粒度分布中在数目基础上从小粒度一侧计数至40纳米粒度的颗粒百分数是25%或更少,(4)D50是50-600纳米,其中D50定义为累积粒度分布中在数目基础上从小粒度一侧计数至50%的粒度。
7.如权利要求6所述的抛光组合物,其特征在于所述磨料是选自金属、金属或类金属的碳化物、金属或类金属的氮化物、金属或类金属的氧化物、金属或类金属的硼化物和金刚石中的至少一种。
8.一种对基片进行抛光的方法,它包括用权利要求1所述的抛光组合物来抛光基片。
9.一种对基片进行抛光的方法,它包括用权利要求3所述的抛光组合物来抛光基片。
10.一种对基片进行抛光的方法,它包括用权利要求6所述的抛光组合物来抛光基片。
11.一种制造基片的方法,它包括用权利要求1所述的抛光组合物来抛光基片的步骤。
12.一种制造基片的方法,它包括用权利要求3所述的抛光组合物来抛光基片的步骤。
13.一种制造基片的方法,它包括用权利要求6所述的抛光组合物来抛光基片的步骤。
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