[发明专利]用于光学储存介质反射层或半反射层的金属合金

权利要求书

1.一种光储存介质，该介质包括：

在至少一个主要表面上具有特征花纹的第一层；和

与第一层相邻的第一涂层，此第一涂层包括第一金属合金；其中第一金属合金包括银和锌；  而且其中银和锌数量之间关系定义为Ag_xZn_y时，0.85＜x＜0.9999，而0.0001＜y＜0.15。

2.如权利要求1的介质，而且其中0.001≤y≤0.10。

3.如权利要求1的介质，其中所述第一涂层直接接触所述第一金属合金。

4.如权利要求1的介质，该介质进一步包括：

在至少一个主要表面上具有特征花纹的第二层；和

与第二层相邻的第二涂层。

5.如权利要求1的介质，该介质进一步包括：

在至少一个主要表面上具有特征花纹的第二层，此第二层包括一种介电材料；

在至少一个主要表面上具有特征花纹的第三层，此第三层包括一种光学可重新记录材料；和

在至少一个主要表面上具有特征花纹的第四层，此第四层包括一种介电材料。

6.如权利要求5的介质，其中光学可重新记录材料是一种可相变材料。

7.如权利要求6的介质，其中光学可重新记录材料进一步包括选自下面的可相变材料：Ge-Sb-Te、As-In-Sb-Te、Cr-Ge-Sb-Te、As-Te-Ge、Te-Ge-Sn、Te-Ge-Sn-O、Te-Se、Sn-Te-Se、Te-Ge-Sn-Au、Ge-Sb-Te、Sb-Te-Se、In-Se-Tl、In-Sb、In-Sb-Se、In-Se-Tl-Co和Si-Te-Sn。

8.如权利要求5的介质，其中光学可重新记录材料是一种磁-光材料。

9.如权利要求8的介质，其中光学可重新记录材料进一步包括选自Tb-Fe-Co和Gd-Tb-Fe的磁-光材料。

10.如权利要求1的介质，其中第一金属合金包括镉，其含量是大约0.01a/o百分数～大约20.0a/o百分数银的存在量。

11.如权利要求1的介质，其中第一金属合金包括锂，其含量是大约0.01a/o百分数～大约10.0a/o百分数银的存在量。

12.如权利要求1的介质，其中第一金属合金包括锰，其含量是大约0.01a/o百分数～大约7.5a/o百分数银的存在量。

13.如权利要求1的介质，其中第一金属合金包括选自金、铑、铜、钌、锇、铱、铂和钯以及它们的混合物的金属，其中此金属含量是大约0.01a/o百分数～大约5.0a/o百分数银的存在量。

14.如权利要求1的介质，其中第一金属合金包括选自钛、镍、铟、铬、锗、锡、锑、镓、硅、硼、锆、钼和它们的混合物的金属，其中此金属含量是大约0.01a/o百分数～大约5.0a/o百分数银的存在量。

15.一种光储存介质，该介质包括：

在至少一个主要表面上具有特征花纹的第一层；和

与第一层相邻的第一涂层，此第一涂层包括第一金属合金；其中第一金属合金包括银和铝；而且其中银和铝数量之间关系定义为Ag_xAl_z时，0.95＜x＜0.9999，而0.0001＜z＜0.05。

16.如权利要求15的介质，而且其中0.001≤z≤0.03。

17.如权利要求15的介质，其中所述第一涂层直接接触所述第一金属合金。

18.如权利要求15的介质，该介质进一步包括：

在至少一个主要表面上具有特征花纹的第二层；和

与第二层相邻的第二涂层。

19.如权利要求15的介质，该介质进一步包括：

在至少一个主要表面上具有特征花纹的第二层，此第二层包括一种介电材料；

在至少一个主要表面上具有特征花纹的第三层，此第三层包括一种光学可重新记录材料；和

在至少一个主要表面上具有特征花纹的第四层，此第四层包括一种介电材料。

20.如权利要求19的介质，其中光学可重新记录材料是一种可相变材料。