[发明专利]清洗方法、半导体器件的制造方法及有源矩阵型显示器件的制造方法无效
| 申请号： | 01117261.4 | 申请日： | 2001-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1343535A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | 速水直哉 | 申请（专利权）人： | 东芝株式会社 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 黄依文 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 半导体器件 制造 有源 矩阵 显示 器件 | ||
1.一种将加有超声波的清洗液供给被清洗物来清洗所述被清洗物的超声波清洗方法，其特征在于，
对所述清洗液施加所述超声波，是以反复进行施加、停止的方式进行。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述超声波以规定间隔反复进行施加、停止。
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，使所述超声波重叠在脉冲状的输送波上。
4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述输送波的频率比所述超声波的振荡频率低。
5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述超声波的振荡频率为0.6MHz以上。
6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，输送波的占空比为80％以下。
7.一种超声波清洗方法，其特征在于，具有照射第一超声波来清洗被清洗物的第一工序，以及照射第二超声波来清洗被清洗物的第二工序。
8.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述第一工序及第二工序连续反复进行。
9.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，边以规定间隔依次改变所述第一超声波及所述第二超声波，边照射被清洗物进行清洗。
10.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述超声波的振荡频率为0.6MHz以上。
11.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述第一超声波与所述第二超声波的相位、波长、振幅之一不相同。
12.根据权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，所述第二超声波的波长与所述第一超声波波长的整数倍或整数分之一的波长不相同。
13.根据权利要求11所述的清洗方法，其特征在于，所述超声波的振荡频率为0.6MHz以上。
14.一种超声波清洗方法，其特征在于，连续性照射多种超声波来清洗被清洗物。
15.根据权利要求14所述的清洗方法，其特征在于，所述超声波每隔规定间隔照射到被清洗物进行清洗。
16.根据权利要求14所述的清洗方法，其特征在于，所述多种超声波的相位、波长及振幅之一不相同。
17.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，对于形成有图形的表面，该图形包含宽度为0.2μm以下、平面形状比为1.0以上凸形状结构物，连续性照射多种超声波来进行清洗。
18.根据权利要求17所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多种超声波的相位、波长、振幅之一不相同。
19.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，对于露出金属配线的表面，连续照射多种超声波来进行清洗。
20.根据权利要求19所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述多种超声波的相位、波长、振幅之一不相同。
21、一种有源矩阵型显示器件的制造方法，其特征在于，对于露出Si或者金属配线的表面，连续照射多种超声波来进行清洗。
22.根据权利要求21所述的有源矩阵型显示器件，其特征在于，所述多种超声波的相位、波长、振幅之一不相同。
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