[发明专利]介电陶瓷组合物、电子器件及其生产方法

权利要求书

1．一种介电陶瓷组合物，其至少含有：

一种含有成分表达式为{(Sr_1-xCa_x)O}_m·(Ti_1-yZr_y)O₂的介电氧化物组合物的主要组分和

一种含有R(这里R是选自：钪Sc、钇Y、镧La、铈Ce、镨Pr、钕Nd、钷Pm、钐Sm、铕Eu、钆Gd、铽Tb、镝Dy、钬Ho、铒Er、铥Tm、镱Yb和镥Lu之中的至少一种元素)的氧化物的第四次要组分，其中

在主要组分表达式中的符号m、 x和y表示成分的摩尔比并有下列关系：

0.94＜m＜1.02，

0≤x≤1.00，和

0≤y≤0.20，和

基于100摩尔的主要组分，其换算为氧化物中的R，第四次要组分的摩尔比为0.02摩尔≤第四次要组分＜2摩尔。

2．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，其中在第四次要组分中含有的R氧化物是钪Sc、钇Y、铈Ce、镝Dy、钬Ho、铒Er、铥Tm、镱Yb和镥Lu之中的至少一种氧化物。

3．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，在第四次要组分中含有的R氧化物晶粒是基本均匀地分布。

4．根据权利要求2的介电陶瓷组合物，在第四次要组分中含有的R氧化物晶粒是基本均匀地分布。

5．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，还含有

一种至少含有选自下列元素的氧化物：V、Nb、W、Ta和Mo和/或在烧结后形成这些氧化物的化合物的第一次要组分，其中

基于100摩尔的主要组分，其换算为氧化物中的金属元素，第一次要组分的摩尔比为0.01摩尔≤第一次要组分＜2摩尔。

6．根据权利要求2的介电陶瓷组合物，还含有

一种至少含有选自下列元素的氧化物：V、Nb、W、Ta和Mo和/或在烧结后形成这些氧化物的化合物的第一次要组分，其中

基于100摩尔的主要组分，其换算为氧化物中的金属元素，第一次要组分的摩尔比为0.01摩尔≤第一次要组分＜2摩尔。

7．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，其还含有

一种Mn的氧化物和/或在烧结后能形成Mn的氧化物的化合物的第二次要组分，其中

基于100摩尔的主要组分，其换算为氧化物中的金属元素，第二次要组分的摩尔比为0摩尔≤第二次要组分＜4摩尔。

8．根据权利要求2的介电陶瓷组合物，其还含有

一种Mn的氧化物和/或在烧结后能形成Mn的氧化物的化合物的第二次要组分，其中

基于100摩尔的主要组分，其换算为氧化物中的金属元素，第二次要组分的摩尔比为0摩尔≤第二次要组分＜4摩尔。

9．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，其还含有

选自SiO₂、MO(其中，M是选自Ba、Ca、Sr和Mg之中的至少一种元素)、Li₂O和B₂O₃之中的至少一种类型的化合物的第三次要组分，其中

基于100摩尔的主要组分，其换算为氧化物，第三次要组分的摩尔比为0摩尔＜第三次要组分＜15摩尔。

10．根据权利要求2的介电陶瓷组合物，其还含有

选自SiO₂、MO(其中，M是选自Ba、Ca、Sr和Mg之中的至少一种元素)、Li₂O和B₂O₃之中的至少一种类型的化合物的第三次要组分，其中

基于100摩尔的主要组分，其换算为氧化物，第三次要组分的摩尔比为0摩尔＜第三次要组分＜15摩尔。

11．根据权利要求1的介电陶瓷组合物，其还含有

一种含有(Sr_p,Ca_1-p)SiO₃(其中p为0.3≤p≤1)的第三次要组分，其中

基于100摩尔的主要组分，其换算为氧化物，第三次要组分的摩尔比为0摩尔＜第三次要组分＜15摩尔。