[发明专利]显示装置

说明书

本发明涉及一种具备薄膜晶体管(以下称作TET)的显示装置，该薄膜晶体管控制向发光元件供给的电流。

近年来，EL显示装置使用场致发光元件以下称为[EL]，并作为代替CRT或LCD的显示装置引起人们的关注。

作为驱动该EL元件的转换(switch)元件，还研究开发出具备薄膜晶体管的EL显示装置。

图2示出一般的EL显示装置的等价电路图。

如图2所示，EL显示板是在绝缘性基板10上配置了与提供扫描信号的垂直侧驱动器80连接的多个扫描信号线81，供给数据信号的、与从漏极侧驱动器90输出的取样脉冲的计时对应的取样晶体管SP1,…SPk,SPk+1…SPn接通，获得数据信号线92的数据信号Sig的多根漏极信号线91。在这两种信号线81、91的交错部附近配置与这两种信号线81、91连接的转换用TFT30，连接该转换用TFT30的元件驱动用TFT40和根据施加到该元件驱动用TFT40上的电压、从元件驱动电源线100供给电流进行发光的有机EL元件60。

一电极71连接TFT30的电源11S，另一电极72在各显示象系200中具备被施加了通用电位的保持电容70。

漏极侧开始脉冲STH等的计时信号等输送给漏极侧驱动器90，垂直侧开始脉冲等的计时信号等输送给垂直侧驱动器80。

而且，向各驱动器80、90供给为驱动各驱动器的驱动电压Hvdd,Vvdd。由驱动电压Hvdd,Vvdd驱动构成各驱动器的移位寄存器。

因此，对应于以开始信号为基础的取样脉冲，取样晶体管SP接通，数据信号线92的数据信号Vdata1被供给到漏极信号线91。栅极信号从栅极信号线81被输入到第1TFT30的栅极13，第1TFT30接通。因此，转换信号流向TFT30的电源11S，此时的电压Vdata2被施加到第2TFT40的栅极43上，第2TFT40的栅极接通，对应于该电压Vdata2，元件驱动电源线100的电流流向EL元件60,EL元件60就发光。

图3示出有机EL元件显示装置的显示象素附近的平面图，该显示装置具备作为切换用及元件驱动用的TFT，图4(A)是沿图3中的A-A线的断面图，图4(B)示出沿图3中的B-B线的断面图。

如图3所示，在由栅极信号线81和漏极信号线91围起的区域内形成显示象素。在两信号线的交错部位附近具备切换用的第1TFT30，该TFT30的电源11S兼作在与后述的保持电容54之间构成电容的电容电极55的同时，连接EL元件驱动用的第2TFT40的栅极43。第2TFF的电源41S与有机EL元件60的阳极61R连接，另一漏极41D与驱动电源线100连接，该电源线100是向有机EL元件60供电的电源。

在TFT的附近与栅极信号线81并行地配置了保持电容电极线54。该保持电容电极线54由铬等形成，通过栅极绝缘膜12在TFT30的电源11S和连接的电容电极55之间构成积蓄电荷的电容。该保持电容是为了保持第2TFT40的栅极电极43上的电压而设置的。

如图4所示，有机EL显示装置是按顺序把TFT及有机元件重叠在由玻璃和/或树脂等形成的基板或具有导电性的基板或半导体基板等的基板10上形成的。

首先，说明作为转换用的TFF的第1TFF30。

如图4(A)所示，用CVD法等，在由石英玻璃、无碱玻璃等构成的绝缘性基板10上形成非晶质硅膜(a-Si膜)，用激光照射该非晶质硅膜进行多结晶化，成为能动层的多结晶硅膜(p-Si膜)11。把栅极绝缘膜12重叠在p-Si膜11上。在该其上形成扫描信号线81以及AL质漏极信号线91，信号线81兼作铬(Cr)，钼(Mo)等的高融点金属栅极电极，信号线91兼作漏极电极15。

在栅极绝缘膜12，栅极电极13，元件驱动电源线100及保持电容电极线54上的整个面上按SiO₂膜，SiN膜及SiO₂膜的顺序重叠形成层间绝缘膜14，在对应于漏极11D而设计的接触孔上设充填Al等的金属的漏极电极15，而且，在整个面上形成由有机树脂构成的、表面作平整处理的平整绝缘膜16。

接着，说明作为有机元件的驱动用TFF的第2的TFF40。