[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体器件，包括：

形成在绝缘表面上的半导体层，至少具有源区、漏区和置于源区和漏区之间的沟道形成区；

在所述半导体层上形成的第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上形成的至少一个电极，并与所述沟道形成区交叠；

在所述第一绝缘膜上形成的源布线；

至少覆盖所述电极和所述源布线的第二绝缘膜；

在所述第二绝缘膜上形成的栅布线，并连接到所述电极。

2．根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述栅布线与所述半导体层的部分交叠，该半导体层至少包含所述沟道形成区。

3．根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述电极包括栅极。

4．根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述电极和所述源布线包括相同的材料。

5．根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述栅布线的材料包括从由多晶硅、W、WSi_x、Al、Cu、Ta、Cr和Mo所构成的组中选出的一种或多种元素。

6．根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，第一绝缘膜包括栅绝缘膜。

7．根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述第二绝缘膜还包括包含硅作为主成分的第一绝缘层和包含有机树脂材料的第二绝缘层。

8．根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是从由个人计算机、摄像机、手提信息终端、数字相机、数字唱机和电子游戏机所构成的组中选出的一种。

9．一种半导体器件，包括：

形成在绝缘表面上的半导体层，至少具有源区、漏区和置于源区和漏区之间的沟道形成区；

在所述半导体层上形成的第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上形成的至少一个电极，并与所述沟道形成区交叠；

在所述第一绝缘膜上形成的源布线；

至少覆盖所述电极和所述源布线的第二绝缘膜；

在所述第二绝缘膜上形成的栅布线，并连接到所述电极。

在所述第二绝缘膜上形成连接电极，并连接到所述源布线和所述半导体层；

在所述第二绝缘膜上形成像素电极，并连接到所述半导体层。

10．根据权利要求9的半导体器件，其特征在于，所述像素电极与所述源布线交叠。

11．根据权利要求9的半导体器件，其特征在于，所述栅布线与所述半导体层的部分交叠，该半导体层至少包含所述沟道形成区。

12．根据权利要求9的半导体器件，其特征在于，所述电极包括栅极。

13．根据权利要求9的半导体器件，其特征在于，所述电极和所述源布线包括相同的材料。

14．根据权利要求9的半导体器件，其特征在于，所述像素电极、所述连接电极和所述栅布线包括相同的材料。

15．根据权利要求9的半导体器件，其特征在于，所述栅布线的材料包括从由多晶硅、W、WSi_x、Al、Cu、Ta、Cr和Mo所构成的组中选出的一种或多种元素。

16．根据权利要求9的半导体器件，其特征在于，第一绝缘膜包括栅绝缘膜。

17．根据权利要求9的半导体器件，其特征在于，所述第二绝缘膜还包括包含硅作为主成分的第一绝缘层和包含有机树脂材料的第二绝缘层。

18．根据权利要求9的半导体器件，其特征在于，在连接到所述像素电极的所述半导体层和连接到相邻像素的栅布线的所述电极之间，用所述第一绝缘膜作为电介质，包含所述像素电极的一个像素形成存储电容器。

19．根据权利要求9的半导体器件，其特征在于，将提供p型导电率的杂质元素掺杂到与所述像素电极连接的所述半导体层。

20．根据权利要求9的半导体器件，所述半导体器件是从由个人计算机、摄像机、手提信息终端、数字相机、数字唱机和电子游戏机所构成的组中选出的一种。