[发明专利]半导体装置

权利要求书

1、一种半导体装置，设置有外部引出电极的多个半导体芯片叠层，并在上述外部引出电极与上述半导体芯片的叠层基台的布线导通的状态下进行封装，其特征是

在至少一个上述半导体芯片的电路形成面上设置：配置于芯片周围侧的第1电极焊区；配置于比上述第1电极焊区要靠近一个上层的半导体芯片侧的第2电极焊区；及具有连接上述第1电极焊区和上述第2电极焊区的布线的再布线层。

2、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是上述第1电极焊区、第2电极焊区和上述再布线层，设置在最上层的半导体芯片以外的至少一个半导体芯片上。

3、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是上述第1电极焊区、第2电极焊区和上述再布线层，设置在电路形成面成为叠层上方一侧的至少一个半导体芯片上。

4、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是上述第1电极焊区、第2电极焊区和上述再布线层，避开上述外部引出电极进行设置。

5、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是上述第1电极焊区、第2电极焊区和上述再布线层，在构成上述半导体芯片的电路制造时，随该电路的形成继续形成。

6、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是在最上层半导体芯片以外的全部半导体芯片上设置上述再布线层，并将最上层和最下层以外的半导体芯片的上述第1电极焊区和上述外部引出电极与一个下层半导体芯片的第2电极焊区电连接；并且，将最下层半导体芯片的上述第1电极焊区和上述外部引出电极与上述叠层基台的布线电连接；并且，最上层半导体芯片的上述外部引出电极与一个下层半导体芯片的上述第2电极焊区电连接起来。

7、根据权利要求6所述的半导体装置，其特征是上述电连接，用引线接合法进行。

8、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是这样配置上述第1电极焊区和上述第2电极焊区，使得连接具有上述再布线层的半导体芯片的上述第1电极焊区与上述第1电极焊区的引线接合端头的连线部分，和连接同一半导体芯片的上述外部引出电极与上述外部引出电极的引线接合端头的连线部分的全部，相互在半导体芯片的面宽方向隔开来。

9、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是这样配置上述第1电极焊区和上述第2电极焊区，使得连接具有上述再布线层的半导体芯片的上述第2电极焊区与上述第2电极焊区的最上层半导体芯片的引线接合端头的连线部分的全部，相互在半导体芯片的面宽方向隔开来。

10、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是上述叠层基台是引线架。

11、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是上述叠层基台是形成布线的绝缘性树脂基片。

12、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是在上述半导体芯片的电路形成面与上述再布线层之间设置有绝缘膜。

13、根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是在上述再布线层上的上述布线覆盖着绝缘膜。