[发明专利]薄膜淀积设备、薄膜淀积工艺、真空系统以及判漏方法无效
申请号: | 01117434.X | 申请日: | 2001-04-28 |
公开(公告)号: | CN1323917A | 公开(公告)日: | 2001-11-28 |
发明(设计)人: | 伊泽博司;越前裕;大利博和;田中雅敏 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | C23C16/00 | 分类号: | C23C16/00;C23C16/52 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王永刚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 设备 工艺 真空 系统 以及 方法 | ||
1.一种淀积薄膜的设备包括:
一个内部可抽空的真空室;
一套向真空室供应一种材料气体的气体馈送管道;
一套为真空室内部抽气的抽气装置;
连接真空室与抽气装置的第一抽气管道;
经抽气装置引导排出气体的第二抽气管道,
其中,薄膜淀积设备具有温度传感器来探测送入反应室的材料气体与从设备外部进入的空气中所含的氧起反应时产生的反应热。
2.按照权利要求1的薄膜淀积设备,其中的温度传感器置于真空室的外壁表面上或抽气管道处。
3.按照权利要求1的薄膜淀积设备,其中的温度传感器置于抽气装置的下游侧。
4.按照权利要求1的薄膜淀积设备,其中的第一抽气管道或第二抽气管道具有管道连接件,温度传感器置于管道连接件的下游侧。
5.按照权利要求1的薄膜淀积设备,具有判漏装置来依据温度传感器的测量值判断漏气的发生,并具有馈送气体控制装置,在判漏装置探测到漏气时停止馈送材料气体。
6.按照权利要求1的薄膜淀积设备,具有多个真空室以及使带状元件沿长度方向连续移过各室内部的装置。
7.薄膜淀积工艺包括以下步骤:
用抽气装置经抽气管道对内部可抽空的真空室抽气;
在抽空真空室内部的同时向真空室内送入材料气体;
施加高频功率,在真空室内的衬底上淀积薄膜,
依据温度传感器的测量值来检漏,温度传感器探测送入反应室的材料气体与从设备外部进入的空气中所含的氧起反应产生的反应热,这样就能停止材料气体的馈送。
8.按照权利要求7的薄膜淀积工艺,其中漏气的探测是依据温度传感器测量值的升高。
9.按照权利要求7的薄膜淀积工艺,其中的温度传感器置于真空室的外壁表面上或抽气管道处。
10.按照权利要求7的薄膜淀积工艺,其中的温度传感器置于抽气装置的下游侧。
11.按照权利要求7的薄膜淀积工艺,其中抽气管道具有管道连接件,温度传感器置于管道连接件的下游侧。
12.按照权利要求7的薄膜淀积工艺,其中淀积的薄膜是在衬底沿其长度方向连续移动时形成在衬底上的。
13.一种薄膜淀积设备包括:
一个真空室;
一套向真空室供应一种反应材料气体的气体馈送管道;
一套抽气装置和抽气管道用来经其抽空真空室内部,
薄膜淀积设备至少具有一个温度传感器和判漏装置,依据温度传感器的测量值来判断漏气的发生。
14.按照权利要求13的薄膜淀积设备,其中配置了多个温度传感器,当配置的多个温度传感器测量值升高时,判漏装置判断发生了漏气。
15.按照权利要求14的薄膜淀积设备,其中温度传感器沿气流方向设置,当沿气流方向温度传感器的测量值升高时,判漏装置判断发生了漏气。
16.一种真空系统包括:
一个真空室;
一套向真空室供应一种气体的气体馈送装置;
一套抽气装置和抽气管道用来经其抽空真空室内部,
真空系统具有温度传感器来探测送入真空室的材料气体与从薄膜淀积设备外部进入的空气中所含的氧起反应产生的反应热。
17.一种判漏方法包括以下步骤;
将一种反应气体送入具有真空室和抽气管道的真空系统内;
在其中多点测量真空系统的温度;
依据多点测温得到的测量值随时间的变化来判断发生的漏气。
18.按照权利要求17的判漏方法,其中当多点测量值升高时判断发生了漏气。
19.按照权利要求17的判漏方法,其中真空系统的温度是沿真空系统气流方向多点测量的,当沿气流方向多点测温得到的测量值升高时,判断发生了漏气。
20.按照权利要求17的判漏方法,其中求得抽气管道温度的平均值作为参考值,依据多点测量值相对于参考值随时间的变化来判断真空系统发生的漏气。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的