[发明专利]模制型半导体激光器无效
申请号: | 01118032.3 | 申请日: | 2001-05-16 |
公开(公告)号: | CN1325163A | 公开(公告)日: | 2001-12-05 |
发明(设计)人: | 中田直太郎 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01S5/00 | 分类号: | H01S5/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模制型 半导体激光器 | ||
1.一种模制型半导体激光器,其特征在于:
它由以下各部分构成:在一端部形成小块底座部的第1导线;搭载在小块底座部上的激光器芯片和光电检测器;与该激光器芯片和光电检测器电气连接的第2导线;用树脂制框体覆盖除出射面以外所述激光器芯片的侧面与后端面侧,并使第1及第2导线的一端部侧保持一体化,在所述框体面对所述激光器芯片后端面的部分,形成防止光反射向光电检测器的反射防止部分。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述反射防止部分是在框体面对所述激光器芯片后端面的部分形成倾斜面。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器,其特征在于,所述倾斜面与垂直面呈大于10°,小于90°的角度。
4.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述反射防止部分是除去面对所述激光器芯片后端面的框体一部分而形成的。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述反射防止部分是在面对所述激光器芯片后端面的框体部分形成表面凹凸的乱反射面。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述反射防止部分是在面对所述激光器芯片的面的框体部分涂敷光吸收材料。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器,其特征在于,所述反射防止部分是形成在从所述激光器芯片后端面光出射部沿水平方向±15°以上范围内的所述框体部分。
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