[发明专利]瞬态过电压保护元件结构

权利要求书

1.一种瞬态过电压保护元件结构，适用于电子元件，其特征在于该瞬态过电压保护元件结构包括：

一基板；

一接地电极，该接地电极设置在基板上；

一可变阻抗材料层，该可变阻抗材料层设置在接地电极的一端上，并与接地电极电连接；

一绝缘层，该绝缘层设置在可变阻抗材料层的边缘，并使可变阻抗材料层的中央部分暴露出来；以及

一信号电极，该信号电极的一端设置在绝缘层与暴露的可变阻抗材料层上，并与可变阻抗材料层电连接，且信号电极的边缘位于绝缘层上。

2.根据权利要求1所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，基板包括玻璃基板、陶瓷基板。

3.根据权利要求1所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，可变阻抗材料层与信号电极之间具有一接触面，用于将瞬态过电压导入接地电极。

4.根据权利要求1所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，绝缘层可避免信号电极边缘的尖端放电效应。

5.根据权利要求1所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，绝缘层的材料包括硅氧化物、氮氧化物等低介电常数材料。

6.根据权利要求1所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，绝缘层为一方框结构。

7.一种瞬态过电压保护元件结构，适用于电子元件，其特征在于该瞬态过电压保护元件结构包括：

一基板；

一信号电极与一接地电极，该第一电极与该接地电极设置在基板上；

一绝缘层，该绝缘层设置在信号电极与接地电极之间的基板上；以及

一可变阻抗材料层，该可变阻抗材料层设置在信号电极与接地电极之间的绝缘层上，并经过可变阻抗材料层与信号电极及接地电极电连接。

8.根据权利要求7所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，基板包括玻璃基板、陶瓷基板。

9.根据权利要求7所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，可变阻抗材料层与信号电极之间具有一接触面，用于将瞬态过电压导入接地电极。

10.根据权利要求7所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，绝缘层包覆信号电极的边缘，以避免信号电极边缘的尖端放电效应。

11.根据权利要求7所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，绝缘层的材料包括硅氧化物、金属氧化物等低介电常数材料。

12.一种瞬态过电压保护元件结构，适用于一电子元件，该瞬态过电压保护元件结构包括一基板、设置在基板上的一信号电极与一接地电极、一设置在信号电极与接地电极之间的绝缘层，以及一设置在信号电极与接地电极之间的可变阻抗材料层，其特征在于利用绝缘层将信号电极的边缘包覆，经过可变阻抗材料层与信号电极之间接触面将瞬态过电压导入接地电极。

13.根据权利要求12所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，可变组抗材料层设置在接地电极的一端上，绝缘层设置在可变阻抗材料层的边缘，并将可变阻抗材料层中央部分暴露出来，信号电极的一端设置在绝缘层与暴露的可变阻抗材料层上。

14.根据权利要求12或13所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，绝缘层为一方框结构。

15.根据权利要求12或13所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，绝缘层的结构与可变阻抗材料层的轮廓一致。

16.根据权利要求12所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，绝缘层设置在信号电极与接地电极之间的基底上，以将信号电极包覆，可变组抗材料层设置在信号电极与接地电极之间的绝缘层上，并与信号电极和接地电极电连接。

17.根据权利要求12所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，基板包括玻璃基板、陶瓷基板。

18.根据权利要求12所述的瞬态过电压保护元件结构，其特征在于，绝缘层的材料包括硅氧化物、金属氧化物等低介电常数材料。