[发明专利]介电层的蚀刻制程无效
| 申请号： | 01118337.3 | 申请日： | 2001-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1388571A | 公开（公告）日： | 2003-01-01 |
| 发明（设计）人： | 陈永修;张欣怡;黄于玲 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电层 蚀刻 | ||
1、一种介电层的蚀刻制程，其特征在于：它包括如下步骤：
(1)提供一硅基底，其表面上覆盖有一介电层；
(2)对该介电层进行一富高分子的电浆蚀刻制程，以去除掉部分的该介电层，并于该介电层与硅基底的曝露表面上形成一高分子薄膜；
(3)对该高分子薄膜进行一氧电浆处理；
(4)进行一湿蚀刻制程，以将该高分子薄膜完全去除。
2、如权利要求1所述的介电层的蚀刻制程，其特征在于：该富高分子的电浆蚀刻制程是以一氟甲烷与氧气为主要的反应气体的处理。
3、如权利要求1所述的介电层的蚀刻制程，其特征在于：该氧电浆处理是以氧气与氩气为主要的反应气体的处理。
4、如权利要求1所述的介电层的蚀刻制程，其特征在于：该氧电浆处理的温度范围为200℃-300℃。
5、如权利要求1所述的介电层的蚀刻制程，其特征在于：该氧电浆处理使该高分子薄膜的厚度变薄。
6、如权利要求1所述的介电层的蚀刻制程，其特征在于：该湿蚀刻制程是将该硅基底浸泡于缓冲氧化蚀刻溶剂中。
7、如权利要求1所述的介电层的蚀刻制程，其特征在于：该介电层是由下列的任一种介电材质所构成：氧化硅、氮化硅或氧化硅/氮化硅/氧化硅结构。
8、如权利要求1所述的介电层的蚀刻制程，其特征在于：该硅基底表面上包含有一闸极绝缘层，一闸极层是定义形成于该闸极绝缘层表面上，该介电层覆盖于该闸极层与硅基底的曝露表面上。
9、如权利要求1所述的介电层的蚀刻制程，其特征在于：该富高分子电浆蚀刻制程，是将该闸极层顶部的介电层去除，且将该硅基底上的部分介电层去除，以使该介电层残留于该闸极层的侧壁上。
10、如权利要求1所述的介电层的蚀刻制程，其特征在于：该富高分子电浆蚀刻制程，是使该高分子薄膜形成于该闸极层顶部、该闸极层侧壁的介电层表面上以及该硅基底表面所残留的介电层表面上。
11、如权利要求1所述的介电层的蚀刻制程，其特征在于：该湿蚀刻制程是将残留于该硅基底的介电层完全去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
