[发明专利]基板清洗系统

说明书

本发明涉及基板清洗系统，更具体地说，本发明涉及湿法清洗技术，该清洗技术用于在半导体或电子部件等的器件制造步骤中，在采用溅射或CVD处理等方式形成薄膜的处理步骤的前阶段所进行的将半导体片等进行晶片清洗处理的湿法清洗技术中。

作为对半导体片等(下面简称为“晶片”)进行湿法清洗的方法，在过去，所谓的批式湿法清洗成为主流，在批式湿法清洗中，相对多个清洗槽连续地排列的湿法多段式(bench)清洗槽，通过传送装置依次对接纳于装载盒中的多个晶片依次进行浸渗处理，或省略装载盒，直接通过传送装置依次对多张晶片进行浸渗处理，但是，在半导体装置也面临半导体装置的亚微米时代，伴随这样的装置结构细微化，高集成化，晶片外表面也所要求的非常高的清洁度的最近，作为满足更高的清洁度的要求的湿法清洗技术，到目前人们开发提出了下述的单张式湿法清洗法，其在封闭的清洗室中，在没有盒的情况下，逐张地对晶片进行湿法清洗。

该单张式湿法清洗具有下述优点，即也没有微粒的再次附着等情况，可以较高精度在较高的清洁度气氛中进行清洗，此外，装置结构简单，整体尺寸减小，还可有效地应付对多品种少量的生产。

但是，在过去的批式和单张式湿法清洗中的任何一种中，由于清洗装置本身设置于保持于较高清洁气氛中的除尘室中，故装置整体采用下述装置结构，其中将衬底或晶片送入送出部等打开，并且装置主体的内部的各室之间相互开放等，作业性优良。

然而，这样的装置结构具有下述问题，即微粒再次附着于清洗处理后的晶片上，或不能够完全防止伴随该晶片的清洗处理的清洗液等的飞沫或来自晶片本身的灰尘对作业人员造成的不利影响，此外，还有必要对装置主体的整个壁面，进行耐腐蚀性的材料涂敷，装置成本较高。

本发明是针对上述已有的问题而提出的，本发明的目的在于提供一种基板清洗系统，该基板清洗系统具有在密封的清洗室内部，逐张地，在无盒的情况下对晶片进行湿法清洗的单张式湿法清洗的优点，同时也没有微粒的再次附着等情况，可以较高的精度在较高清洁度的气氛中进行清洗，此外，装置结构简单，整体尺寸减小，成本性能也优良。

为了实现上述目的，本发明的基板清洗系统的特征在于在以可密封的方式构成的装置主体内部，设置有装卸室，该装卸室由多个清洗处理前的基板按照叠置的方式实现送入等待的基板送入部和多个清洗处理后的基板按照叠置的方式实现送出等待的基板送出部构成；处理室，处理室具有通过多种清洗液逐张地对基板进行清洗处理的至少一个单张式的基板清洗腔；机器人室，该机器人室具有在上述处理室与装卸室之间，逐张地输送基板的输送机器人，这些室通过具有必要的最小程度的开口面积的隔壁，分隔形成。

作为优选的实施例，在上述装置主体的前后两侧，分别设置上述装卸室和处理室，并且在该装卸室与处理室之间，设置上述机器人室，在上述装卸室中，开设有可朝向装置主体的外部的操作空间开放的开闭口。

上述装卸室按照下述方式构成，该方式为：叠置于上述基板送入部和基板送出部中的基板沿上下方式以规定的排列间距，按照水平状态排列，并且在上述装卸室内部流动的清洁空气从上述基板送出部朝向基板送入部水平地流动。

上述机器人室中的输送机器人采用具有能进行升降动作同时也能进行水平动作的一对手部的摆动臂机器人的形式，该输送机器人按照其中一个手部对清洗处理前的基板进行输送处理，并且另一手部对清洗处理后的基板进行输送处理的方式构成。

对上述处理室的内壁面进行氯乙烯树脂的耐腐蚀性涂敷处理，并且对其它的壁面进行耐酸涂敷处理。此外，上述处理室的单张式基板清洗腔由腔主体和基板旋转装置形成，该腔主体包括沿上下方向排列的多个环状处理槽，沿上下方向进行升降动作，该基板旋转装置在该腔主体的中间部，与腔主体呈同心状设置，在于水平状态支承一张基板的同时，使其水平旋转，该清洗腔按照下述方式形成，该方式为：通过上述腔主体的沿上下方向的升降，实现支承于上述基板旋转装置上的基板和上述环状处理槽的定位。还有，上述腔主体采用具有可开闭的基板送入送出用的门的密封容器的形式。

在本发明中，由于在按照可密封的方式的构成的装置主体内部，设置有上述装卸室，处理室和机器人室，这些室通过具有必要的最小程度的开口面积的隔壁，分隔形成，故可将空气相对装置主体的内部和外部的除尘室的进出抑制在必要的最小程度，可使装置主体内部保持在非常高的清洁度的气氛中。