[发明专利]防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造

权利要求书

1、一种防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：至少包含下列步骤：

(1)提供一半导体基底，其表面上设有至少一内连导线；

(2)于该基底和内连导线的表面上形成应力缓冲层：

(3)于该应力缓冲层表面上形成蚀刻阻挡层；

(4)于该蚀刻阻挡层表面上形成介电层；

(5)对该介电层进行平坦化处理；

(6)进行介层窗蚀刻制程，于该内连导线上方形成一介层窗。

2、根据权利要求1所述的防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：该蚀刻阻挡层与该介电层的蚀刻比大于10。

3、根据权利要求1所述的防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：该内连导线顶部更包括有抗反射层。

4、根据权利要求1所述的防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：该抗反射层是由钛/氮化钛或氮氧化硅所构成。

5、根据权利要求1所述的防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：该内连导线是由铝、铜或铝硅铜所构成。

6、根据权利要求1所述的防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：该应力缓冲层是由二氧化硅所构成。

7、根据权利要求1所述的防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：该蚀刻阻挡层是由氮化硅或氮氧化硅所构成。

8、根据权利要求1所述的防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：该应力缓冲层是由钛或钽所构成。

9、根据权利要求1所述的防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：该蚀刻阻挡层是由氮化钛或氮化钽所构成。

10、根据权利要求1所述的防止介层窗过度蚀刻的方法，其特征是：该介电层是由二氧化硅所构成。

11、一种防止介层窗过度蚀刻的构造，其特征是：至少包含有一内连导线形成于半导体基底表面上；应力缓冲层形成于该内连导线和基底表面上；蚀刻阻挡层形成于该应力缓冲层上；以及具有平坦表面的介电层形成于该蚀刻阻挡层上。

12、根据权利要求11所述的防止介层窗过度蚀刻的构造，其特征是：该内连导线顶部更包括有抗反射层。

13、根据权利要求11所述的防止介层窗过度蚀刻的构造，其特征是：该抗反射层是由钛/氮化钛或氮氧化硅所构成。

14、根据权利要求11所述的防止介层窗过度蚀刻的构造，其特征是：该内连导线是由铝、铜或铝硅铜所构成。

15、根据权利要求11所述的防止介层窗过度蚀刻的构造，其特征是：该应力缓冲层是由二氧化硅所构成。

16、根据权利要求11所述的防止介层窗过度蚀刻的构造，其特征是：该蚀刻阻挡层是由氮化硅或氮氧化硅所构成。

17、根据权利要求11所述的防止介层窗过度蚀刻的构造，其特征是：该应力缓冲层是由钛或钽所构成。

18、根据权利要求11所述的防止介层窗过度蚀刻的构造，其特征是：该蚀刻阻挡层是由氮化钛或氮化钽所构成。

19、根据权利要求11所述的防止介层窗过度蚀刻的构造，其特征是：该介电层是由二氧化硅所构成。