[发明专利]半导体存储装置的驱动方法

权利要求书

1.一种半导体存储装置的驱动方法，是具有利用强电介质膜的极化偏位来存储多值数据的强电介质电容器，和连接所述强电介质电容器的上电极以及下电极中一方电极并检测所述强电介质膜极化偏位的检测部件的半导体存储装置的驱动方法；其特征在于：包括：

通过将读出电压外加到所述强电介质电容器的上电极以及下电极中的另一方电极上，利用所述检测部件检测所述强电介质膜的极化偏位，来读出所述多值数据的第1工序；

除去外加在所述另一方电极上的所述读出电压的第2工序；

在所述第1工序中外加的所述读出电压值的大小是：当利用所述第2工序除去所述读出电压时，能使所述强电介质膜的极化偏位返回到读出所述多值数据之前的偏位上。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置的驱动方法，其特征在于：还包括：在所述第2工序之后，使所述强电介质电容器的所述上电极和所述下电极之间的电位差为0的第3工序。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置的驱动方法，其特征在于：所述第3工序包括：在所述一方电极上外加与所述读出电压极性不同的电压之后，使所述电位差为0的工序。

4.根据权利要求2所述的半导体存储装置的驱动方法，其特征在于：所述半导体存储装置具有使所述强电介质电容器的所述一方电极和所述另一方电极导通或者断开的开关；

所述第3工序包括：通过利用所述开关使所述一方电极和所述另一方电极导通，来使所述电位差为0的工序。

5.根据权利要求2所述的半导体存储装置的驱动方法，其特征在于：所述半导体存储装置具有使所述强电介质电容器的所述一方电极和给定电位导通或者断开的开关；

所述第3工序包括：在将所述给定电位外加到所述强电介质电容器的所述另一方电极上的同时，通过利用所述开关使所述一方电极连接到所述给定电位上，来使所述电位差为0的工序。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置的驱动方法，其特征在于：在所述第1工序中外加的所述读出电压的大小是：当外加该读出电压时，能使外加在所述强电介质电容器的所述一方电极和所述另一方电极之间的电压低于所述强电介质电容器的矫顽电压。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置的驱动方法，其特征在于：所述检测部件具有电容性负载；

所述第1工序包括：将所述读出电压外加到由所述强电介质电容器和所述电容性负载所构成的串联电路两端的工序；

所述检测部件是通过按照所述强电介质电容器的电容值和所述电容性负载的电容值的比对所述读出电压进行的分压，来检测外加在所述电容性负载上的电压，并因此来检测所述强电介质膜的极化偏位。

8.根据权利要求1所述的半导体存储装置的驱动方法，其特征在于：所述检测部件具有形成在衬底上，并且栅电极连接所述强电介质电容器的所述一方电极的场效应型晶体管；

所述第1工序包括：将所述读出电压外加到所述强电介质电容器的所述另一方电极和所述衬底之间的工序；

所述检测部件是当按照所述强电介质电容器的电容值和所述场效应型晶体管的栅电极电容值的比对所述读出电压进行分压，并且所分电压被外加到所述场效应型晶体管的栅电极上时，通过检测流动在所述场效应型晶体管的漏极区域和源极区域之间的电流，来对所述强电介质膜的极化偏位进行检测的。

9.一种半导体存储装置的驱动方法，是具有各自利用强电介质膜的极化偏位来存储多值数据，并且相互之间串联连接的多个强电介质电容器，和分别并联连接所述多个强电介质电容器，并且对读出所述多值数据的所述强电介质电容器进行选择的多个选择晶体管，和与串联连接的所述多个强电介质电容器的一端侧相连接，并且通过检测利用所述选择晶体管所选择的所述强电介质电容器的所述强电介质膜的极化偏位，来读出所述多值数据的检测部件的半导体存储装置的驱动方法；其特征在于：包括：

将读出电压外加到所述强电介质电容器的上电极以及下电极中的一方电极上的第1工序；

除去外加在所述一方电极上的所述读出电压的第2工序；

在所述第1工序中外加的所述读出电压的大小是：当利用所述第2工序除去所述读出电压时，能使所述强电介质膜的极化偏位返回到读出所述多值数据之前的偏位上。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置的驱动方法，其特征在于：还包括：在所述第2工序之后，使所述强电介质电容器的所述上电极和所述下电极之间的电位差为0的第3工序。