[发明专利]带有光产酸剂的含光自由基产生剂的光致抗蚀剂组合物

权利要求书

1.一种光致抗蚀剂组合物包括：

(a)光致抗蚀剂树脂，(b)光产酸剂，(c)光自由基发生剂和(d)有机溶剂。

2.如权利要求1的光致抗蚀剂组合物，其中所述的光自由基发生剂是以下式1的化合物：

式1

其中，R₁是氢或(C₁-C₅)烷基；

R₂是氢，(C₁-C₅)烷基或苯基；以及

R₃是氢，(C₁-C₅)烷基，苯基或(C₁-C₅)烷氧基。

3.如权利要求2的光致抗蚀剂组合物，其中所述式1的化合物选自α，α-二甲氧基-α-苯基甲基苯基酮和α-羟基-α，α-二甲基甲基苯基酮。

4.如权利要求1的光致抗蚀剂组合物，其中光产酸剂选自二苯基碘六氟磷酸盐，二苯基碘六氟砷酸盐，二苯基碘六氟锑酸盐，二苯基对甲氧基苯基三氟甲磺酸酯，二苯基对亚苄基三氟甲磺酸酯，二苯基对异丁基苯基三氟甲磺酸酯，二苯基对叔丁基苯基三氟甲磺酸酯，三苯基锍六氟磷酸盐，三苯基锍六氟砷酸盐，三苯基锍六氟锑酸盐，三氟甲磺酸三苯基锍盐，三氟甲磺酸二丁基萘基锍盐，及这些物质的混合物。

5.如权利要求1的光致抗蚀剂组合物，其中所述光产酸剂的量为所述光致抗蚀剂树脂重量的约0.05％到约10％。

6.如权利要求1的光致抗蚀剂组合物，其中所述光自由基产生剂的量为所述光产酸剂的约10摩尔％到约300摩尔％。

7.如权利要求1的光致抗蚀剂组合物，其中所述的光致抗蚀剂树脂是包含由环烯烃共聚单体加成聚合制得的重复单元的化学放大光致抗蚀剂树脂。

8.如权利要求7的光致抗蚀剂组合物，其中光致抗蚀剂树脂选自聚(叔丁基二环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸酯/2-羟乙基二环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸酯/降冰片烯/马来酸酐)和聚(叔丁基二环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸酯/2-羟乙基二环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸酯/二环[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸/马来酸酐)。

9.如权利要求1的光致抗蚀剂组合物，其中所述的有机溶剂选自3-甲氧基丙酸甲酯，3-乙氧基丙酸乙酯，甲基醚乙酸丙二醇酯(PGMEA)，环己酮和2-庚酮。

10.如权利要求1的光致抗蚀剂组合物，其中所述有机溶剂的量为光致抗蚀剂树脂重量的约200重量％到约800重量％。

11.一种形成光致抗蚀图像的方法，包括以下步骤：

(a)将如权利要求1的光致抗蚀剂组合物涂布到一个基体上，形成一光致抗蚀剂薄膜；

(b)将光致抗蚀剂薄膜曝光；和

(c)将曝过光的光致抗蚀剂薄膜显影。

12.如权利要求11的方法，进一步包括在曝光步骤(b)之前和/或之后的一个烘烤步骤。

13.如权利要求12的方法，其中所述烘烤步骤的温度范围是约70℃到约200℃。

14.如权利要求11的方法，其中曝光步骤的光源选自ArF(193nm)，KrF(248nm)，VUV(157nm)和EUV(13nm)，E-射线，X-射线和离子射线。

15.如权利要求11的方法，其中曝光能量的范围是约1mJ/cm²到约100mJ/cm²。

16.用权利要求11的方法制造的半导体部件。