[发明专利]改进了的集成电路结构

权利要求书

1．一种互连结构，它包含：

衬底；

位于衬底内的镀敷通孔；

衬底第一和第二表面上的重新分布层；以及

重新分布层中选择性地位于镀敷通孔上并电连接镀敷通孔的通道孔。

2．权利要求1的互连结构，其特征是衬底包含：

接地平面；

接地平面第一和第二侧上的第一介电层；

各个第一介电层上的第一成对的第一信号平面；

基本上在各个第一信号平面上的第二介电层；

各个第二介电层上的第一成对的第一电源平面；

基本上在各个第一电源平面上的第三介电层；

各个第三介电层上的第二成对的第二信号平面；

基本上在各个第二信号平面上的第四介电层；以及

各个第四介电层上的第二成对的第二电源平面。

3．权利要求2的互连结构，其特征是，其中的接地平面包含铜-镍铁合金-铜。

4．权利要求2的互连结构，其特征是，其中的第一和第二信号平面是阻抗控制电路层。

5．权利要求2的互连结构，其特征是，其中的第一、第二、第三和第四介电层包含硅颗粒填充的聚四氟乙烯材料。

6．权利要求1的互连结构，其特征是，其中的重新分布层包含抗疲劳介电材料。

7．权利要求1的互连结构，其特征是，其中的通道孔包括部分芯片连接件。

8．权利要求7的互连结构，其特征是，其中的芯片连接件选自可控崩塌芯片连接件、球栅阵列连接件、和回流焊固定连接件。

9．权利要求1的互连结构，其特征是，其中的通道孔偏离镀敷通孔的中心。

10．权利要求1的互连结构，其特征是，其中的镀敷通孔包括铜镀层。

11．权利要求1的互连结构，其特征是，其中的镀敷通孔还包括填充材料。

12．权利要求11的互连结构，其特征是，其中的填充材料是加固材料。

13．权利要求12的互连结构，其特征是，其中的加固材料是导电材料。

14．权利要求1的互连结构，其特征是，还包括衬底中的掩埋镀敷通孔。

15．一种制作半导体芯片载体的方法，它包含下列步骤：

提供其中具有镀敷通孔的衬底；

在衬底的第一和第二表面上淀积重新分布层；以及

在重新分布层中制作选择性地位于镀敷通孔上方并电连接镀敷通孔的通道孔。

16．权利要求15的方法，其特征是，还包括制作通道孔中的芯片连接焊点的步骤。

17．权利要求15的方法，其特征是，其中提供其中具有镀敷通孔的衬底的步骤包括下列步骤：

通过衬底钻孔；

清洗此孔，以及

在孔的内表面上制作导电层。

18．权利要求15的方法，其特征是，还包含用加固材料填充镀敷通孔的步骤。

19．权利要求18的方法，其特征是，其中的加固材料包含导电材料。

20．权利要求15的方法，其特征是，其中用层叠工艺来执行淀积重新分布层的步骤。

21．权利要求15的方法，其特征是，其中提供其中具有镀敷通孔的衬底的步骤还包括下列步骤：

提供接地平面；

在衬底中制作第一成对的信号平面；

在衬底中制作第一成对的电源芯线；

在衬底中制作第二成对的信号平面；

在衬底中制作第二成对的电源芯线；

22．权利要求21的方法，其特征是，其中的第一和第二成对的信号平面是阻抗控制电路。

23．权利要求21的方法，其特征是，其中的第二成对的电源芯线直接在部分重新分布层下方并电连接到部分重新分布层。

24．权利要求23的方法，其特征是，其中的第二成对的电源芯线还包括顶表面金属化(TSM)和底表面金属化(BSM)。

25．权利要求15的方法，其特征是，其中的重新分布层包含抗疲劳介电材料。