[发明专利]液相沉积法的单面生长与量产方法及装置无效
| 申请号： | 01119229.1 | 申请日： | 2001-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1385883A | 公开（公告）日： | 2002-12-18 |
| 发明（设计）人： | 李明达;廖星智 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/288;H01L21/208 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 单面 生长 量产 方法 装置 | ||
1.一种液相沉积法的单面生长与量产方法，用以对一晶片进行一液相沉积工艺过程，其特征在于，包括下列步骤：
提供一第一晶片承载器，于所述第一晶片承载器上置放所述晶片；
提供一生长液槽，所述成长液槽具有一第一开口，并使所述生长液槽的第一开口与所述第一晶片承载器上的晶片接合；以及
提供生长溶液，置入所述生长液槽，于进行所述液相沉积工艺过程后，将所述生长液槽的第一开口朝上，以取出所述第一晶片承载器上的晶片。
2.如权利要求1所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述晶片是借助一O型环与生长液槽接合，以防止所述生长溶液外溢。
3.如权利要求2所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述O型环具有一半径及一形状，所述半径比所述第一开口大，而所述形状与所述晶片相似。
4.如权利要求1所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述生长液槽还具有一第二开口，用以置入所述生长溶液。
5.如权利要求4所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述第二开口借助一第二晶片承载器以封合于其上。
6.如权利要求5所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述第二晶片承载器先置放另一晶片于其上后始封合于所述第二开口上。
7.如权利要求6所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述另一晶片是于所述第一开口朝上以取出所述第一晶片承载器上的晶片时，进行所述液相沉积工艺过程。
8.如权利要求1所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述液相沉积工艺过程可适用于数个晶片。
9.如权利要求8所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述数个晶片置放于所述第一晶片承载器上。
10.如权利要求9所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，还提供数个生长液槽，置入所述生长溶液，以对所述数个晶片进行所述液相沉积工艺过程。
11.如权利要求10所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述数个生长液槽分别借助数个O型环与所述数个晶片接合在一起，以防止所述生长溶液溢出。
12.如权利要求11所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述数个O型环之间保留一间距，以防止所述数个晶片间相互掩盖碰撞。
13.如权利要求1所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述晶片具有一尺寸，所述尺寸是依设计而定。
14.如权利要求1所述的液相沉积法的单面生长与量产方法，其特征在于，所述液相沉积工艺过程用于成长一氧化膜。
15.一种液相沉积法的单面生长与量产装置，用于对一晶片进行一液相沉积工艺过程，它包括：
一第一晶片承载器，用以承载所述晶片；
一生长液槽，设有一第一开口，用以容置生长溶液，且借助所述第一开口与所述第一晶片承载器上所述晶片的接合以进行所述液相沉积工艺过程。
16.如权利要求15所述的液相沉积法的单面生长与量产装置，其特征在于，所述第一晶片承载器及所述生长液槽是由一抗腐蚀材料制成。
17.如权利要求16所述的液相沉积法的单面生长与量产装置，其特征在于，所述抗腐蚀材料为一铁氟龙材料。
18.如权利要求16所述的液相沉积法的单面生长与量产装置，其特征在于，所述抗腐蚀材料为一PE材料。
19.如权利要求15所述的液相沉积法的单面生长与量产装置，其特征在于，所述晶片承载器上的所述晶片是借助一O型环与生长液槽接合，以防止所述生长溶液外溢。
20.如权利要求19所述的液相沉积法的单面生长与量产装置，其特征在于，所述O型环具有一半径及一形状，所述半径比所述第一开口大，而所述形状是与所述晶片相似。
21.如权利要求15所述的液相沉积法的单面生长与量产装置，其特征在于，所述生长液槽还具有一第二开口，用以置入所述生长溶液。
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