[发明专利]模拟缺陷晶片和缺陷检查处方作成方法

权利要求书

1.  一种模拟缺陷晶片，具备：

在半导体衬底上边，被形成为其上表面从上述半导体衬底的表面算起具有第1高度的模拟正常图形；

在上述半导体衬底上边，被形成为其上表面从上述半导体衬底的表面算起具有与上述第1高度不同的第2高度的第1模拟缺陷图形。

2.  权利要求1所述的模拟缺陷晶片，上述第1模拟缺陷图形，包括在上述模拟正常图形上边形成的图形。

3.  权利要求1所述的模拟缺陷晶片，还具备在上述半导体衬底上边形成为具有与上述模拟正常图形不同的平面形状的第2模拟缺陷图形。

4.  权利要求3所述的模拟缺陷晶片，上述第1模拟缺陷图形，包括在上述模拟正常图形上边形成的图形。

5.  一种在半导体缺陷检查装置中使用的处方文件的作成方法，具备：

任意地设定处方参数的参数设定工序；

根据上述处方参数作成第1暂定缺陷检查处方的第1暂定处方作成工序；

用上述第1暂定缺陷检查处方对于已预先得到了作为与缺陷种类有关的数据的模拟缺陷数据的模拟缺陷晶片检查缺陷的模拟缺陷检查工序；

核对所检查到的缺陷数据和上述模拟缺陷数据，计算上述第1暂定缺陷检查处方的缺陷检测率的缺陷检测率计算工序；

使计算出来的上述缺陷检测率与所希望的缺陷检测率进行比较，判定上述第1暂定缺陷检测灵敏度的检测灵敏度判定工序；

在计算出来的上述缺陷检测率低于上述所希望缺陷检测率的情况下，变更上述处方参数，一直到可以得到上述所希望的缺陷检测率为止，反复进行上述第1暂定缺陷处方作成工序到上述缺陷检测灵敏度判定工序的第1暂定处方修正工序；

把得到了上述所希望的缺陷检测灵敏度的上述处方参数定为上述半导体缺陷检查装置的处方参数的处方决定工序。

6.  权利要求5所述的处方文件作成方法，

上述模拟缺陷晶片，具备：

在半导体衬底上边，被形成为其上表面从上述半导体衬底的表面算起具有第1高度的模拟正常图形；

在上述半导体衬底上边，被形成为其上表面从上述半导体衬底的表面算起具有与上述第1高度不同的第2高度的第1模拟缺陷图形。

7.  权利要求6所述的处方文件的作成方法，上述模拟缺陷晶片所具备的上述第1模拟缺陷图形，包括在上述模拟正常图形上边形成的图形。

8.  权利要求6所述的处方文件的作成方法，上述模拟缺陷晶片还具备在上述半导体衬底上边形成为具有与上述模拟正常图形不同的平面形状的第2模拟缺陷图形。

9.  权利要求8所述的处方文件作成方法，上述第1模拟缺陷图形所具备的第1模拟缺陷图形，包括在上述模拟正常图形上边形成的图形。

10.  权利要求6所述的处方文件的作成方法，

上述处方参数包括在上述半导体缺陷检查装置的光学系统或电子光学系统中的可以变更的焦距，

上述参数设定工序，包括在上述半导体晶片的表面垂直的方向上设定与可以在所希望的位置上存在的上述缺陷种类对应的上述焦距的工序。

11.  权利要求5所述的缺陷检查处方的作成方法，还具备：用已决定的上述处方参数作成第2暂定缺陷检查处方的第2暂定处方作成工序；

用上述第2暂定缺陷检查处方对检查对象的半导体晶片实际进行检查的实际检查工序；

对于对上述半导体晶片的检查结果验证是否存在着异常的异常验证工序；

在上述缺陷检查的结果中存在着异常的情况下，调整上述处方参数，一直到消除上述异常为止反复进行上述第2暂定处方作成工序到上述异常验证工序的第2暂定处方修正工序。

12.  权利要求11所述的处方文件作成方法，

上述模拟缺陷晶片，具备：

在半导体衬底上边，被形成为其上表面从上述半导体衬底的表面算起具有第1高度的模拟正常图形；

在上述半导体衬底上边，被形成为其上表面从上述半导体衬底的表面算起具有与上述第1高度不同的第2高度的第1模拟缺陷图形。

13.  权利要求12所述的处方文件的作成方法，上述模拟缺陷晶片所具备的上述第1模拟缺陷图形，包括在上述模拟正常图形上边形成的图形。