[发明专利]减少光刻工艺中光学近接效应偏差的方法有效
| 申请号： | 01119767.6 | 申请日： | 2001-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1387089A | 公开（公告）日： | 2002-12-25 |
| 发明（设计）人： | 王立铭 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/22 | 分类号： | G03F7/22 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 光刻 工艺 光学 效应 偏差 方法 | ||
1.一种减少光学近接效应偏差的方法，应用于半导体光刻工艺中，其特征在于，根据一半导体基板上每一曝光区域的光学近接效应的偏差，调整每次曝光步骤的曝光参数设定，以补偿所述曝光区域光学近接效应的偏差，而得到一固定且均匀的光学近接效应结果。
2.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，所述半导体基板是为一氮化硅基板。
3.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，所述曝光参数是为数值孔径。
4.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，所述曝光参数是为部份同调。
5.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，所述曝光参数是为曝光能量。
6.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，所述曝光参数是为聚焦深度。
7.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，所述曝光步骤所使用的光源是为一I-line。
8.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，所述曝光步骤所使用的光源是为一G-line。
9.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，所述曝光所使用的光源是为一KrF激光。
10.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，所述曝光步骤所使用的光源是为一ArF激光。
11.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，所述曝光步骤所使用的光源是为一X-ray。
12.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，所述曝光步骤所使用的光源是为一电子束。
13.如权利要求1所述的减少光学近接效应偏差的方法，其特征在于，调整每次曝光步骤的曝光参数设定是于一步进机中所完成。
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