[发明专利]介质陶瓷和电子元件无效
| 申请号： | 01119797.8 | 申请日： | 2001-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1330371A | 公开（公告）日： | 2002-01-09 |
| 发明（设计）人： | 佐藤茂树;寺田佳弘;藤川佳则 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/468;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,周慧敏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质 陶瓷 电子元件 | ||
1.介质陶瓷，它包含：
起主要成分作用的钛酸钡；
第一种辅助成分，它含有镁(Mg)、钙(Ca)、钡(Ba)、锶(Sr)和铬(Cr)之中的至少一种元素；
第二种辅助成分，它含有SiO2；
第三种辅助成分，它含有钒(V)、钼(Mo)和钨(W)之中的至少一种元素；及
第四种辅助成分，它含有铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、钇(Y)、镝(Dy)和钬(Ho)之中的至少一种元素；
其中具有空隙的晶体颗粒的存在率，依据计数比率为10％或更低。
2.权利要求1的介质陶瓷，其中该介质陶瓷的平均晶体颗粒直径大于0.1μm但不大于0.7μm。
3.权利要求1或2的介质陶瓷，其中该介质陶瓷的第二种辅助成分进一步含有钡、钙、锶、镁、锂(Li)和硼(B)之中的至少一种氧化物，并起烧结助剂的作用。
4.权利要求1的介质陶瓷，其中该介质陶瓷是使用草酸盐法或固相合成方法合成的钛酸钡粉末作为原料来制造的。
5.权利要求4的介质陶瓷，其中该介质陶瓷是使用钛酸钡粉末作为原料来制造的，这种钛酸钡粉末具有平均颗粒直径不小于0.1μm及小于0.7μm。
6.权利要求5的介质陶瓷，其中该介质陶瓷是使用钛酸钡粉末作为原料来制造的，这种钛酸钡粉末具有的钡对钛组成比(Ba/Ti)大于1而小于1.007。
7.一种包括介质陶瓷的电子元件，其中介质陶瓷包含：
起主要成分作用的钛酸钡；
第一种辅助成分，它含有镁(Mg)、钙(Ca)、钡(Ba)、锶(Sr)和铬(Cr)之中的至少一种元素；
第二种辅助成分，它含有SiO2；
第三种辅助成分，它含有钒(V)、钼(Mo)和钨(W)之中的至少一种元素；及
第四种辅助成分，它含有铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、钇(Y)、镝(Dy)和钬(Ho)之中的至少一种元素；
其中具有空隙的晶体颗粒的存在率，依据计数比率为10％或更低。
8.权利要求7的电子元件，其中介质陶瓷的平均晶体颗粒直径大于0.1μm但不大于0.7μm。
9.权利要求7或8的电子元件，其中介质陶瓷的第二种辅助成分进一步含有钡、钙、锶、镁、锂和硼之中的至少一种氧化物，并起烧结助剂的作用。
10.权利要求7的电子元件，其中介质陶瓷是使用草酸盐法或固相合成方法合成的钛酸钡粉末作为原料来制造的。
11.权利要求10的电子元件，其中介质陶瓷是使用钛酸钡粉末作为原料来制造的，这种钛酸钡粉末具有平均颗粒直径不小于0.1μm及小于0.7μm。
12.权利要求11的电子元件，其中介质陶瓷是使用钛酸钡粉末作为原料来制造的，这种钛酸钡粉末具有的钡对钛组成比Ba/Ti大于1而小于1.007。
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