[发明专利]平面显示器及安装场致发射型电子发射源的方法无效
申请号: | 01120205.X | 申请日: | 2001-07-06 |
公开(公告)号: | CN1334589A | 公开(公告)日: | 2002-02-06 |
发明(设计)人: | 上村佐四郎;余谷纯子;长廻武志 | 申请(专利权)人: | 伊势电子工业株式会社;诺利塔克股份有限公司 |
主分类号: | H01J31/12 | 分类号: | H01J31/12;H01J1/304 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈瑞丰 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 平面 显示器 安装 发射 电子 方法 | ||
技术领域
本发明涉及以自场致发射型电子发射源发射之电子轰击荧光物质而发光的平面显示器,以及安装场致发射型电子发射源的方法。
背景技术
近年来,在平面显示器,如FED(场致发射显示器)或平面真空荧光显示器中,当自电子发射源发射的电子轰击在发光部分上时,这种显示器发光,所述发光部分由计数电极上形成的荧光物质组成,人们提出在其电子发射源中采用碳纳米管(carbon nanotube)。在碳纳米管中,将一石墨单层封闭成圆柱形式,在圆柱的末端制成5节圆环。由于碳纳米管通常的直径非常小,比如10nm到50nm那样小,当将其应用于约100V的电场时,可自其末端场致发射电子。
日本专利未审公开特开平11-162383(参考文献1)提出一种在其此类电子发射源中使用碳纳米管的平面显示器。参考文献1描述了一种电子发射源,其中针形柱状石墨件的长度从几微米至几毫米,并由碳纳米管形成,以导电粘合剂固定该发射源,也通过印制与柱状石墨件混合的涂胶形成电子发射源。
在这些电子发射源中,同时形成不连续的部分,如发射极或凹槽。如果加给平行的电场,得到场致电子发射,则该电场集中在所述不连续的部分,造成局部电子发射。局部电子发射造成使用这种电子发射源的平面显示器上亮度不均匀。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够得到均匀亮度的平面显示器,排除亮度不均匀,还提供安装场致发射型电子发射源的方法。
为实现上述目的,本发明提供一种平面显示器,它包括;基板;安装在所述基板上的场致发射型电子发射源;通过真空空间与所述基板面对并且至少透射部分光的前玻璃件;电子发射极,它带有电子通过孔,并远离电子发射源设置,与所述基板相对;以及在面对基板的前玻璃件表面上形成的荧光物质膜。所述电子发射源包括:具有大量通孔的板状金属件,它用作纳米管纤维的生长核心;以及由纳米管形成的包敷膜,它覆盖所述金属件的表面和所述各通孔的内壁。
附图说明
图1A是本发明一种具体实施方式之平面显示器主要部分的透视图;图1B是图1A中所示电子发射源部分的放大截面图;
图2A是表示图1所示电子发射源制造过程的金属基板的平面图;图2B是图2A所示金属件的放大平面图;
图3A和3B分别是平面图和截面图,表示利用金属基板固定夹具,将图1A所示电子发射源装在玻璃基板上的情况。
具体实施方式
以下将参照附图详细描述本发明。
图1A表示本发明一种具体实施方式的平面显示器。参照图1A,多个基板加强肋104竖直地立在玻璃基板101上,以预定的间隔彼此平行,条带状场致发射型电子发射源110布置在被所述基板加强肋104夹着的玻璃基板101上。用含有低熔点熔结玻璃的绝缘涂胶106将场致发射型电子发射源110固定到玻璃基板101的表面上。
面对着玻璃基板101布置透明的前玻璃件103,多个前表面加强肋105竖直地立在与玻璃基板101相对的前玻璃件103的表面上,以预定的间隔彼此平行,使它们与所述基板加强肋104正交。各前表面加强肋105的下端面与各基板加强肋104的上端面在它们的相交部分互相接触。在被前表面加强肋105夹着的前玻璃件103表面区域上形成荧光物质膜140,金属背膜130用作阳极,形成于荧光物质膜140的表面上。
多个与金属背膜130相对的呈梯形的电子引出电极120被支承在各基板加强肋104的上端面上,与各前表面加强肋105限定的各个区域对应。玻璃基板101和前玻璃件103通过定位玻璃框架(未示出)以预定的间隔彼此相对,并以低熔点熔结玻璃将它们的周围粘附在所述定位玻璃框架的两个表面上。使玻璃基板101、前玻璃件103以及定位玻璃框架所构成的外壳内部的真空度保持在10-5Pa量级。
构成所述外壳的玻璃基板101、前玻璃件103以及定位玻璃框架均由低碱性钠钙玻璃制成,并且玻璃基板101和前玻璃件103采用厚度为1mm至2mm的平板玻璃。基板加强肋104由绝缘体制成,而所述绝缘体是通过把含低熔点熔结玻璃的绝缘涂胶丝网印制在玻璃基板101上至一定高度再煅烧而成的。在这种情况下,每个基板加强肋104被制成宽度为50μm,高度为从电子发射源110起0.3mm至0.6mm。加强肋的间隔被设定成使电子发射源110的宽度为0.3mm。
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