[发明专利]发光二极管的封装

权利要求书

1.一种发光二极管的封装，其特征在于，基板的制作方法为：

以硅晶片为基板，在其正面上光阻层经曝光显影后利用湿蚀刻方式蚀刻出具有倾斜壁的凹槽反射座，另在硅晶片基板的背面同样上光阻层并在凹槽底部背面的相对位置设有电极孔图案经曝光显影后利用干蚀刻方式蚀刻出贯孔电极孔，去除光阻，将硅晶片基板经高温炉氧化或氮化处理使硅基板表面形成一层氧化硅或氮化硅的绝缘层，利用电镀方式使硅基板正、反面及贯孔电极孔内均镀一层金属导电层，并用激光加工将凹槽内的电极面分割成具有正、负电极的电极接触面，以利发光二极管的发光晶粒置于其中并与电极接合。

2.如权利要求1所述的一种发光二极管的封装，其特征在于，其中镀金属导电层须同时具有导电与光反射功能，其材料为银、金、钯、铂等。

3.如权利要求1所述的一种发光二极管的封装，其特征在于，其中硅晶片基板选用100结晶方位的硅晶片能蚀刻出倾斜壁的凹槽。

4.如权利要求1所述的一种发光二极管的封装，其特征在于，其中硅晶片基板选用110结晶方位的硅晶片能蚀刻出具垂直壁的凹槽。

5.如权利要求1所述的一种发光二极管的封装，其特征在于，其中湿蚀刻液为碱性(氢氧化钾)时，其光阻须用酸性显影光阻。

6.一种发光二极管的封装，其特征在于，硅晶片基板经氮气高温炉加热使硅晶片表面形成一层氮化硅层，再上光阻并配合光罩曝光显影，用反应性离子蚀刻把显影区的氮化硅层去除，后再用湿蚀刻法蚀刻出具有凹槽的结构；在硅晶片基板的背面上光阻并配合光罩在凹槽的相对位置设有电极孔图做曝光显影，再用反应性离子蚀刻把氮化硅层去除，用干蚀刻感应耦合电浆制作出贯孔电极孔，将硅晶片基板经氧化或氮化处理使凹槽及贯孔电极孔内壁形成一层绝缘层，再将硅基板镀金属层，利用激光加工分割出凹槽内的正、负电极面，以利发光二极管晶粒置于凹槽内并与电极接合。

7.如权利要求6所述的发光二极管的封装，其特征在于，其中硅晶片基板选用100结晶方位可蚀刻出具倾斜壁的凹槽结构。

8.如权利要求6所述的发光二极管的封装基板的制作方法，其特征在于，其中硅晶片基板选用110结晶方位能蚀刻出具垂直壁的凹槽结构。

9.一种发光二极管的封装，其特征在于，将发光二极管发光晶粒放置于具有凹槽反射座的硅晶片基板凹槽内，并将发光二极管发光晶粒的正、负电极连接硅晶片基板凹槽的正、负电极，利用封胶树脂包覆发光二极管发光晶粒且填满整个凹槽，经加温使封胶树脂固化后并切割成颗粒状的表面粘著型发光二极管元件。

10.如权利要求9所述的发光二极管的封装，其特征在于，其中封胶树脂为一种透明耐高温的硅胶或环氧树脂。

11.一种发光二极管的封装，由晶片基板、发光二极管发光晶粒，封装树脂等所组成，其中：

发光二极管发光晶粒：具有正、负电极面的发光晶粒；

晶片基材：具有凹槽反射座、放置发光二极管发光晶粒，并具有连接发光二极管发光晶粒的正、负电极面；

封胶树脂：包覆发光二极管发光晶粒并填满晶片基板整个凹槽；

其特征者在于：将发光二极管发光晶粒置放于具有凹槽反射座的晶片基板凹槽内，并连接其正、负电极，再以点胶或模铸成型方式使封胶树脂填满整个凹槽，再切割成粘着型发光二极管。

12.如权利要求11所述的发光二极管的封装，其特征在于，其中晶片基板可为硅晶片或二氧化硅晶片基板。

13.如权利要求11或12所述的发光二极管的封闭，其特征在于，晶片基板选用其不同晶格方位则可蚀刻出不同倾斜角的凹槽。

14.如权利要求11所述的发光二极管的封装，其特征在于，其中封胶树脂以模铸方式成型使其表面形成具有凸透镜功能的结构。

15.如权利要求11所述的发光二极管的封装，其特征在于，其中在晶片基板的单一凹槽反射座内可同时放置二颗以上发光二极管晶粒。