[发明专利]具有同轴谐振器和陷波图形的介质滤波器

权利要求书

1.一种介质滤波器，该介质滤波器包括：

介质块，定义上表面、与所述上表面隔开的下表面以及两个侧表面和两个端面，所述两个侧表面和两个端面均设置在所述上表面与下表面之间以形成所述介质块的外壁，所述介质块包括：

三个谐振器，具有在所述介质块内按顺序形成并与所述上表面垂直的第一通孔、中间通孔以及第二通孔；

外部导体，由涂敷在所述上表面的周边部分、所述下表面以及所述侧表面和端面的导电材料制成；

第一上表面涂层区域、中间上表面涂层区域以及第二上表面涂层区域，形成在所述上表面上，涂敷有导电材料，围绕各通孔设置；

第一上表面无涂层区域、中间上表面无涂层区域以及第二上表面无涂层区域，形成在所述上表面上，并围绕所述各上表面导电区域设置；

无涂层输入区域和无涂层输出区域，形成在一个所述侧表面上，并通过涂敷在所述无涂层输入区域与所述输出区域之间预定距离的外部导体互相隔开，它们被分别设置在分别与所述第一通孔和第二通孔对应的一个侧表面的第一位置和第二位置；以及

输入衰减器，涂敷有导电材料，并将它设置到所述无涂层输入区域内；以及

输出衰减器，涂敷有导电材料，并将它设置到所述无涂层输出区域内；

延伸无涂层区域，形成在与设置在所述第一通孔与所述第二通孔之间的所述中间通孔对应的一个侧表面的中间位置上，从所述无涂层输入区域和所述无涂层输出区域之一开始沿所述侧表面之一向所述中间位置延伸；以及

延伸衰减器，涂敷有导电材料，设置在所述延伸无涂层区域内并设置在所述中间位置。

2.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域与所述上表面的第一上表面无涂层区域和第二上表面无涂层区域之一相连。

3.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域与无涂层输入区域和无涂层输出区域之一和所述上表面的第一上表面无涂层区域和第二上表面无涂层区域之一相连。

4.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域的高度比所述延伸衰减器的高度高。

5.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域的长度大于第一通孔与中间通孔之间的距离。

6.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述上表面的延伸无涂层区域的高度高于所述延伸衰减器的高度。

7.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器电连接到所述输入衰减器和所述输出衰减器之一。

8.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器具有一致的高度。

9.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的预定长度长于所述输入衰减器的长度。

10.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的端部设置在所述侧表面之一的所述中间位置，而所述延伸衰减器的主要部分设置在所述第一位置与所述第二位置之间并电连接到所述端部与所述输入衰减器之间。

11.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的主要部分连接到所述输入衰减器，而其端部连接到所述主要部分，所述端部的高度高于所述主要部分，而所述主要部分的高度低于所述输入衰减器。

12.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的端部的长度大于所述中间通孔的直径。

13.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述延伸衰减器的主要部分的长度长于所述第一通孔与所述中间通孔之间的距离。

14.根据权利要求1所述的介质滤波器，其中在平行于上表面方向上所述输入衰减器的长度和所述延伸衰减器的长度之和大于所述第一通孔的一个外端与在平行于所述上表面方向上与所述第一通孔的所述一个外端相对的所述第二通孔另一端之间的第二长度。

15.根据权利要求1所述的介质滤波器，所述中间无涂层区域与所述无涂层输入区域和所述延伸无涂层区域隔开，而所述第一无涂层区域连接到所述无涂层输入区域和所述延伸无涂层区域。