[发明专利]电磁波吸收体、其制造方法和使用该电磁波吸收体的器具无效
申请号: | 01120722.1 | 申请日: | 2001-04-10 |
公开(公告)号: | CN1336793A | 公开(公告)日: | 2002-02-20 |
发明(设计)人: | 藤枝正;池田伸三;小川宰;阿部辉宜;青野泰久 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H05K9/00 | 分类号: | H05K9/00;H01F10/14;C23C14/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电磁波 吸收体 制造 方法 使用 器具 | ||
1.一种电磁波吸收体,包括粒径小于10μm的复合磁性颗粒,磁性金属颗粒和陶瓷在该复合磁性颗粒中成一体。
2.一种包括复合磁性颗粒的电磁波吸收体,该复合磁性颗粒中通过用所述陶瓷包封所述大量磁性金属细粒将大量磁性金属细粒和陶瓷成一体。
3.一种包括复合磁性颗粒的电磁波吸收体,该复合磁性颗粒中通过将陶瓷粒包埋于磁性金属颗粒中使磁性金属颗粒和大量陶瓷粒成一体。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的电磁波吸收体,其中所述磁性金属是至少一种选自铁、钴和镍的金属或合金,所述陶瓷是至少一种选自包括铁、铝、硅、钛、钡、锰、锌、镁、钴和镍的氧化物、氮化物和碳化物的陶瓷。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的电磁波吸收体,其中磁性金属颗粒和陶瓷是通过将陶瓷粘合到复合磁性颗粒表面上而成一体。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的电磁波吸收体,其中所述复合磁性颗粒的平均晶粒粒径小于50nm。
7.一种电磁波吸收体,其中权利要求1-6任一项所述复合磁性颗粒被分散于电阻率高于该复合磁性颗粒的物质中。
8.根据权利要求7所述的电磁波吸收体,其中所述高电阻率物质是树脂、绝缘聚合物漆和陶瓷烧结材料中的任何一种。
9.一种电磁波吸收体的制造方法,其中的复合磁性颗粒是通过机械合金化方法由磁性金属粉和陶瓷粉形成的,磁性金属颗粒和陶瓷在其中成一体。
10.一种电磁波吸收体的制造方法,其中的复合磁性颗粒是通过使用金属球或陶瓷球的机械合金化方法,由含有磁性金属粉和陶瓷粉的复合粉形成的,磁性金属颗粒和陶瓷在其中混合并成一体,所述球的尺寸大于金属粉的粒径,所述球的体积量大于所述复合粉的体积量。
11.一种包括复合磁性颗粒的复合件,磁性金属颗粒和陶瓷在复合磁性颗粒中成一体。
12.一种复合件,是通过将复合磁性颗粒和电阻率高于该复合磁性颗粒的物质复合到一起形成的,在复合磁性颗粒中有磁性金属颗粒和陶瓷成一体。
13.一种电磁波吸收体,是通过将复合磁性颗粒和至少一种选自电阻率高于该复合磁性颗粒的树脂、氧化铝和氧化硅的材料复合到一起形成的,在复合磁性颗粒中有磁性金属颗粒和陶瓷成一体。
14.根据权利要求1-8,12和13任一项所述的电磁波吸收体,其中所述陶瓷与复合磁性颗粒的体积比是10-75%,并且所述陶瓷是包埋于所述磁性金属颗粒中的。
15.根据权利要求1-8和12-14任一项所述的电磁波吸收体,其中所述复合磁性颗粒的平均晶粒粒径小于50nm。
16.根据权利要求1-8和12-15任一项所述的电磁波吸收体,其中所述复合磁性颗粒的表面上涂覆了电阻率高于所述复合磁性颗粒的物质。
17.根据权利要求1-8和12-16任一项所述的电磁波吸收体,其中所述复合磁性颗粒的长宽比大于2,并且是扁圆形的。
18.根据权利要求1-8和12-17任一项所述的电磁波吸收体,其中所述复合磁性颗粒是均匀分散于所述具有高电阻率的物质中的。
19.根据权利要求1-8和12-18任一项所述的电磁波吸收体,其中所述扁圆形复合磁性颗粒沿一个方向于所述高电阻率的物质中定向。
20.根据权利要求12-19任一项所述的电磁波吸收体,其中所述具有高电阻率的物质是聚合物或陶瓷烧结材料。
21.一种半导体器件,其中安装在印刷电路板上的半导体元件被含电磁波吸收体的树脂密封,其中在所述元件一面上的所述树脂被不含所述电磁波吸收体的树脂覆盖。
22.一种包括位于绝缘板上电路的印刷电路板,所述电路被绝缘层覆盖,其中在所述绝缘板上与形成有所述电路的表面相反的表面上和所述绝缘层上形成了包括电磁波吸收体的层。
23.一种半导体器件,其中安装在印刷电路板上的半导体元件被金属壳覆盖,该金属壳的内周表面是由电磁波吸收体形成的。
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