[发明专利]对准方法、套刻检查方法和光掩模

权利要求书

1.一种光掩模的对准方法，具备：

用至少含有第1器件图形和具有上述第1器件图形的一部分或相同图形形状的对准标记的第1光掩模，在晶片上边，与上述第1器件图形一起，形成上述对准标记的步骤；

根据上述对准标记对在上述晶片上边形成的光刻胶膜进行第2光掩模的定位的步骤。

2.权利要求1所述的对准方法，

用还包括具有上述第1器件图形的一部分或相同图形形状的第1套刻偏差检查用标记的上述第1光掩模，在上述晶片上边，与上述第1器件图形一起，形成上述对准标记和上述第1套刻偏差检查用标记，

包括第2器件图形和具有上述第2器件图形的一部分或相同图形形状的第2套刻偏差检查用标记的上述第2光掩模相对在上述晶片上边形成的对准标记和上述第1套刻偏差检查用标记进行位置对准，

在上述光刻胶膜上，与上述第2器件图形一起，在与上述第1套刻偏差检查用标记相关连的位置上形成上述第2套刻偏差检查用标记的曝光图形。

3.权利要求1所述的对准方法，

与含有尺寸、形状彼此不同的第1、第2器件图形要素的上述第1器件图形一起，用形成有包含对应于上述第1、第2器件图形要素的尺寸、形状的第1、第2对准标记要素的上述对准标记的上述第1光掩模，在上述晶片上边，与上述器件图形一起，形成上述对准标记，

根据上述已形成的对准标记的第1、第2对准标记要素的位置，相对于上述晶片进行上述第2光掩模的定位。

4.权利要求3所述的对准方法，上述第1对准标记要素，其由在上述光刻胶膜的曝光中使用的曝光装置的光学系统产生的曝光位置偏差量，具有比上述第2对准标记的曝光位置偏差量还小的尺寸、形状。

5.权利要求2所述的对准方法，

上述第1光掩模具有尺寸、形状彼此相同的第1、第2套刻偏差检查用基准标记，

上述第2光掩模包括具有与上述第1套刻偏差检查用基准标记相同的尺寸、形状，与在上述晶片上边形成的上述第1套刻偏差检查用基准标记相关连地定位的第1检查标记；和由在上述光刻胶膜的曝光中使用的曝光装置的光学系统产生的曝光位置偏差量比上述第1检查标记的曝光位置偏差量还大而且与上述第2套刻偏差检查用基准标记相关连地进行定位的第2检查标记，

与在上述第2光掩模上形成的器件图形的尺寸、形状相对应，选择性地用上述第1套刻偏差检查用基准标记与第1检查标记的第1组合，和上述第2套刻偏差检查用基准标记与第2检查标记的第2组合，进行上述第1、第2光掩模的曝光位置修正。

6.权利要求2所述的对准方法，

上述第1光掩模，具有第1套刻偏差检查用标记、第1基准图形、对于该第1基准图形相同受起因于曝光装置的光学系统的位置偏差的影响大的上述第1器件图形的一部分或相同的尺寸、形状的第2检查用标记，

上述第2光掩模，具有第2基准图形、具有对于该第2基准图形受起因于曝光装置的光学系统的位置偏差的影响大的上述第2器件图形的一部分或与此相同的尺寸、形状的第3检查用标记，与在上述晶片上边形成的上述第1套刻偏差检查用标记相关连地定位的第4套刻偏差检查用标记，

计算上述第1、第4套刻偏差检查用标记彼此间的第1位置偏差量，和上述第1基准图形与第2套刻偏差检查用标记彼此间的第2位置偏差量，和上述第2基准图形与第3套刻偏差检查用标记彼此间的第3位置偏差量的合计值，

用上述合计值进行别的光掩模的曝光位置修正。

7.一种光掩模的套刻检查方法，

用至少含有第1器件图形和具有上述第1器件图形的一部分或相同图形形状的对准标记的第1光掩模，与上述第1器件图形一起，在晶片上边，形成上述对准标记，

根据上述对准标记对在上述晶片上边形成的光刻胶膜重叠第2光掩模进行曝光，

用上述对准标记决定对上述晶片的第2光掩模的套刻的精度。