[发明专利]具有对边电极的发光二极管元件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有对边电极的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：所述方法包括下列步骤：

(1)提供一晶片，其上形成有一第一导电型半导体区域，以及在所述第一导电型半导体区域上形成的一第二导电型半导体区域；

(2)使用第一道光罩，于上述晶片上蚀刻数个第一接触区，且各所述第一接触区包括一第一条状电极区及一设于所述第一条状电极区任一位置的第一打线区；

(3)使用第二道光罩，在晶片上进行数个晶粒区域的规划与隔离，使各晶粒区域分别包含有上述的第一接触区，并使所述第一接触区的第一条状电极区沿晶粒区域的一侧边设置，而使所述第一打线区位于所述侧边的任一位置；

(4)使用第三道光罩，于各晶粒区域的第一接触区中镀上一第一欧姆金属接触电极；及

(5)使用第四道光罩，使沿各晶粒区域的与第一接触区对边的另一侧边镀上一第二欧姆金属接触电极，其中，所述第二欧姆金属接触电极包括一与上述第一欧姆金属接触电极的第一条状电极区形成对边且对称的第二条状电极区，以及一设于所述第二条状电极区任一位置的第二打线区。

2.如权利要求1所述具有对边电极的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：

于步骤(2)及(3)中，所述第一打线区是设于所述第一条状电极区的一端而位于所述晶粒区域的一角隅。

3.如权利要求1所述具有对边电极的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：

于步骤(5)中，所述第二打线区是设于所述第二条状电极区的一端而位于所述晶粒区域的另一角隅。

4.如权利要求1所述具有对边电极的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：

于步骤(2)之前，预先于所述晶片表面蒸镀一第二欧姆金属接触薄膜，以增加导电效率。

5.如权利要求1所述具有对边电极的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：

于步骤(5)之前，额外使用一第五道光罩，使晶粒中第二欧姆金属接触电极的第二打线区与第二导电型半导体区域部分隔离，以增加流经第二打线区电流的分散效应并可节省电流。

6.如权利要求1所述具有对边电极的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：

所述晶片为三氧化二铝或氧化镁之类的绝缘性基板。

7.如权利要求1所述具有对边电极的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：

所述第一导电型半导体区域是为n型氮化镓半导体区域，且所述第二导电型半导体区域是为p型氮化镓半导体区域。

8.一种具有对边电极的发光二极管元件，其特征在于：  所述发光二极管元件包括：

一绝缘基板，其上形成有一第一导电型半导体区域、一形成于第一导电型半导体区域的部分区域上的第二导电型半导体区域、及一形成于第一导电型半导体区域的除了上述第二导电型半导体区域外的其它区域上的第一接触区，所述第一接触区包括一沿绝缘基板一侧边设置的第一条状电极区及一设于所述第一条状电极区任一位置的第一打线区；

一第一欧姆金属接触电极镀在上述绝缘基板的第一接触区上；及

一第二欧姆金属接触电极镀在上述绝缘基板的第二导电型半导体区域上，它包括一沿绝缘基板的与第一接触区对边的另一侧边设置的第二条状电极区及一设于第二条状电极区任一位置的第二打线区。

9.如权利要求8所述具有对边电极的发光二极管元件，其特征在于：

所述第一接触区的第一打线区是设在所述第一条状电极区的一端而位于所述绝缘基板的一角隅。

10.如权利要求8所述具有对边电极的发光二极管元件，其特征在于：

所述第二欧姆金属接触电极的第二打线区是设在所述第二条状电极区的一端而位于所述绝缘基板的另一角隅。

11.如权利要求8所述具有对边电极的发光二极管元件，其特征在于：在镀上第二欧姆金属接触电极之前，于绝缘基板的第二导电型半导体区域上预先镀有一欧姆金属接触薄膜，以增加导电效率。

12.如权利要求8所述具有对边电极的发光二极管元件，其特征在于：

所述第二欧姆金属接触电极的第二打线区底部被与第二导电型半导体区域部分隔离。