[发明专利]光电元件、其制造方法及太阳能电池模块无效
申请号: | 01121838.X | 申请日: | 2001-06-27 |
公开(公告)号: | CN1330413A | 公开(公告)日: | 2002-01-09 |
发明(设计)人: | 向井隆昭;深江公俊;高林明治 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 杨晓光 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 元件 制造 方法 太阳能电池 模块 | ||
1.一种光电元件,包括:具有一个通孔的导电基底;在导电基底的一个光接收面侧的一个主表面上从导电基底的该光接收面侧按顺序设置的一个透明电极层和一个光电转换层;以及,在导电基底的非光接收面侧的一个主表面上从光接收面侧按顺序的一个绝缘层和一个背电极层,其中该光电转换层和透明电极层从光接收表面侧上的主表面到该通孔的内壁面的至少一部分连续地形成;该绝缘层和背电极层从非光接收面侧的主表面到该通孔的内壁面的至少一部分连续地形成;该光电转换层、透明电极层、绝缘层、以及背电极层被按此顺序相继地叠置在通孔的内壁面的至少一部分上;且该透明电极层和背电极层通过通孔而电连接。
2.根据权利要求1所述的光电元件,其中光电转换层从光接收面侧上的主表面通过通孔到非光接收面侧的主表面的至少一部分连续地形成。
3.根据权利要求1所述的光电元件,其中该导电基底被设计为主要把在导电基底的通孔形成之后产生的毛刺或毛刺残余物留在非光接收表面上。
4.根据权利要求1所述的光电元件,其中从主表面侧观察时,通孔的形状基本上为圆形,并且满足T/D为1或者更小的条件,其中T表示导电基底的厚度,并且D表示通孔的孔径。
5.根据权利要求1所述的光电元件,其中从主表面侧观察时,通孔形状接近于矩形,并且满足T/L为1或更小,其中T表示导电基底的厚度,并且L表示通孔沿短边的宽度。
6.根据权利要求1所述的光电元件,其中在导电基底与光电转换层之间提供一个背反射层,并且背反射层从光接收面侧的主表面到通孔的内壁表面的至少一部分连续地形成。
7.根据权利要求1所述的光电元件,其中在导电基底与光电转换层之间提供一个背反射层,并且背反射层从光接收面侧的主表面通过通孔到非光接收面侧的至少一部分主表面连续地形成。
8.根据权利要求6所述的光电元件,其中背反射层包括一个金属层和一个半导体层。
9.根据权利要求1所述的光电元件,其中光电转换层具有从由PN结、PIN结、异质结以及肖特基势垒所构成的组中选择的任何一个。
10.根据权利要求1所述的光电元件,其中光电转换层由非晶、晶体、或者它们的混合相的材料所制成。
11.根据权利要求1所述的光电元件,其中光电转换层包括从由非晶硅基半导体、微晶硅基半导体、多晶硅基半导体以及多晶组合物半导体所构成的组中选择的任何一种。
12.根据权利要求1所述的光电元件,其中导电基底由一个柔性金属片所制成。
13.一种制造光电元件的方法,其中包括具有一个通孔的导电基底、在导电基底的一个光接收面侧的一个主表面上从该光接收面侧按顺序设置的一个透明电极层和一个光电转换层、以及在导电基底的一个非光接收面侧的主表面上从光接收面侧按顺序设置的一个绝缘层和一个背电极层;该方法包括在所述导电基底的光接收面侧的主表面上以及在通孔的内壁面上相继形成该光电转换层和该透明电极层的第一步骤,以及在所述导电基底的非光接收面侧的主表面上以及在通孔的内壁面上相继形成绝缘层和背电极层的第二步骤。
14.根据权利要求13所述的方法,其中进一步包括通过在一个导电基底上穿孔而制造具有该通孔的导电基底的步骤,其中要在通孔形成中产生的毛刺主要产生在导电基底的非光接收面侧。
15.根据权利要求14所述的方法,其中形成通孔的步骤是一个使用包括冲头和冲模的模具的冲孔步骤,该步骤是通过把冲头置于导电基底的光接收面侧并把冲模置于非光接收面侧且从光接收面侧对导电基底进行冲孔而进行的。
16.根据权利要求14所述的方法,其中形成通孔的步骤是一个激光处理步骤,该步骤是通过用激光束从导电基底的光接收面侧照射基底而进行的。
17.根据权利要求14所述的方法,其中进一步包括在形成通孔的步骤和第一步骤之间的一个消除形成通孔时产生的毛刺的步骤。
18.根据权利要求17所述的方法,其中消除毛刺的步骤是通过电解抛光执行的。
19.根据权利要求13所述的方法,其中在第一步骤中形成光电转换层的步骤是通过一种化学汽相淀积法而执行的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的