[发明专利]半导体发光元件及其制造方法以及半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光元件，其特征在于：

该半导体发光元件包括：在半导体衬底或绝缘衬底上设置的第一导电型的第一半导体层；在上述第一半导体层上设置的发生并放出自然光的活性层；在上述活性层上设置的第二导电型的第二半导体层；在上述半导体衬底的内面或上述第一半导体层上设置的与上述活性层和上述第二半导体层隔离的第一电极；以及在上述第二半导体层上设置的第二电极，上述活性层发出的光从上述半导体衬底或绝缘衬底侧向外部取出，

上述第二电极包括：可与上述第二半导体层欧姆接触的欧姆电极；在上述欧姆电极上设置的由高熔点金属构成的第一阻挡电极；以及在上述第一阻挡电极上设置的、对上述活性层发出的光的波长具有高反射率的高反射率电极，上述第一阻挡电极用来防止上述欧姆电极和上述高反射率电极内的原子相互扩散。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于：

上述第一阻挡电极的膜厚为10nm以下，对上述活性层发出的光的波长具有透光性；

上述活性层发出的光的一部分透过上述欧姆电极和上述第一阻挡电极，被上述高反射率电极反射，从上述半导体衬底或绝缘衬底侧向外部取出。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于：

上述欧姆电极以从Ni、Pt、Mg、Zn、Be、Ag、Au、Ge中选择的至少一种为主金属元素；

上述第一阻挡电极以从W、Mo、Pt、Ni、Ti、Pd、V中选择的至少一种为主金属元素；

上述高反射率电极以Al或Ag为主金属元素。

4.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于：

上述欧姆电极和上述阻挡电极是由以Ni或Pt为主元素的材料形成的。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于：

上述欧姆电极在上述第二半导体层上以岛状设置，上述第一阻挡区的一部分设置在上述第二半导体层上；

上述活性层发出的光的一部分透过上述欧姆电极和第一阻挡电极被上述高反射率电极反射，从上述半导体衬底或绝缘衬底侧向外部取出；

从上述活性层发出的光的另一部分不透过上述欧姆电极且透过上述第一阻挡电极被上述高反射率电极反射，从上述半导体衬底或绝缘衬底侧向外部取出。

6.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于上述第二电极还包括：

在上述高反射率电极上设置的由高熔点金属构成的第二阻挡电极；在上述第二阻挡电极上设置的、组装时与该第二电极接合的外部电极，以及具有导电性的覆盖电极。

7.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于：

上述第二电极以位于上述第二半导体层中央部分的方式设置；且

上述第一电极只设在上述半导体衬底的内面边缘部。

8.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于：

上述第二电极以位于上述第二半导体层中央部分的方式设置；且

上述第一电极，除了与上述第二电极接合的外部电极在组装后所处的位置以外，以围绕该第二电极的方式设置。

9.一种半导体发光元件，其特征在于包括：

在半导体衬底上设置的第一导电型的第一半导体层；在上述第一半导体层上设置的发生并放出自然光的活性层；在上述活性层上设置的第二导电型的第二半导体层；仅在上述半导体衬底的内面边缘部分设置的第一电极；以及以位于上述第二半导体层的中央部分的方式设置的第二电极。

10.一种半导体发光元件，其特征在于：

上述半导体发光元件包括：在半导体衬底或绝缘衬底上设置的第一导电型的第一半导体层；在上述第一半导体层上设置的发生并放出自然光的活性层；在上述活性层上设置的第二导电型的第二半导体层；在上述第一半导体区上设置的、与上述活性层和上述第二半导体层分离的第一电极；以及以位于上述第二半导体层的中央部分的方式设置的第二电极；

上述第一电极，除了与上述第二电极接合的外部电极在组装后所处的位置以外，以围绕该第二电极的方式设置在第一半导体层的边缘部分。