[发明专利]具有选择性烧录模块的烧录方法无效

专利信息
申请号: 01121999.8 申请日: 2001-06-19
公开(公告)号: CN1392481A 公开(公告)日: 2003-01-22
发明(设计)人: 董忠智 申请(专利权)人: 神基科技股份有限公司
主分类号: G06F9/46 分类号: G06F9/46
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 任永武
地址: 台湾省新竹科学工*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 具有 选择性 模块 方法
【说明书】:

发明涉及一种烧录方法,特别涉及一种具有选择性烧是模块的烧录方法。

快擦写基本输入/输出系统(Flash BIOS)所指的是BIOS当中的内容能够由软件来控制,通常这类BIOS是以电压消除式可编程只读存储器(Electrical lyErasable Programmable Read-Only Memory;EEPROM)的形式来出现的,也就是电脑系统可以使用电流的强弱来更改BIOS当中的程序,这样,BIOS当中的程序也可以『升级』成为较新的版本。

最早的flash BIOS是在主机板上出现的,目前凡是有BIOS的介面卡,也会以flash BIOS来制作,以便修正原先BIOS程序的程序错误(bug)或适用以升级,例如显示卡、数据机、SCSI卡等等,最近许多数据机都声称可以由K56 flex标准升级为V.90标准,使用的便是flash BIOS的升级技术。可编程的只读存储器(Programmable Read-Only Memory;PROM)分为电压消除式可编程只读存储器(EEPROM)和可消除式可编程只读存储器(Erasable Programmable Read-OnlyMemory;EPROM)基本上的功能相同,它在电源消失时,所储存的数据依然存在。只不过要消除储存在里面的内容时,EEPROM是以电子信号直接消除即可,而EPROM是用紫外线照射的方式。

目前许多韧体都可以使用软件更改EEPROM中的内容,所述内容常为一些较不容易变动的数据,例如非易失性随机存取存储器(Non-Volatilty RandomAccess Memory)(NVRAM),主机板与数据机的BIOS当中的程序,可以使用特殊的程序来改变当中的韧体微程序。因为各家厂商对於EEPROM并没有一个标准,所以在烧录改写阶段,大家的流程及命令并不相同,所以如果需要於BIOS中加入写入流程,必须针对所使用的厂商特别写一程序码(code),但因为BIOS储存空间问题,并不能加入支援太多家的程序码,顶多一至二家。但是如果因为生产及采购因素,必须使用五至六家以上的EEPROM,将造成生产及软件工程师的困扰。

本发明的目的是提供一种具有选择性烧录模块的烧录方法,以适用于多家厂商的EEPROM。

为实现上述目的,本发明的具有选择性烧录模块的烧录方法,至少包含下列步骤:提供一具有判断不同的可编程只读存储器规格的烧录程序;建立数个所述可编程只读存储器的烧录模块;依据所述烧录程序所选择相对应的所述可编程只读存储器的所述烧录模块;及将相对应的所述可编程只读存储器的所述烧录模块烧录至只读存储器中。

采用本发明的上述方案,在生产过程中可针对各家厂商所写的烧录程序模块中辨认厂牌与型号,通过读取各厂牌与型号的识别码(ID),选择对应的EEPROM作为系统组装时的烧录模块,并将所选定的模块烧录至只读存储器(Read-OnlyMemory;ROM)中。依据本发明所提的方法可以达到下列功效:(1)本发明是依据所使用的EEPROM加入只读存储器中,因此,针对EEPROM来说,只需写一个烧录程序,因此节省了许多的程序码。(2)解决多家厂商的EEPROM的差异性问题,提供生产过程中系统组装时的选择功能,辨认所支援的EEPROM,并还择其对应的烧录模块烧录至只读存储器中。

为更清楚理解本发明的目的、特点和优点,下面将结合附图对本发明进行详细说明。

图1为现有系统BIOS的配置图;

图2为本发明系统BIOS的配置图:及

图3为依据本发明的方法的流程图。

以往电脑的基本输入输出系统(BIOS)的配置如图1所示,大致上分为启动程序区块(Boot Block)10与系统基本输入输出系统(Svstem BIOS)20两部份。由於电脑的基本输入输出系统储存空间有限,并不能加入支援太多家的程序码,顶多一至二家的程序码,因此本发明是将利用电脑基本输入输出系统的其中一个区域独立划分出来,单独的储存可烧录EEPROM的烧录程序30,如图2所示,在系统基本输入输出系统(System BIOS)20运作时如果需要烧录数据进入只读存储器(ROM)中,则可以呼叫此烧录程序30,把相对应的EEPROM烧录模块烧录至只读存储器(ROM)中,以节省不必要的程序码。

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