[发明专利]磁阻效应型元件及用它制作的磁存储元件和磁头

权利要求书

1、一种磁阻效应型元件，其特征是含有以式L₂(A_1-zR_z)₂A_n-1MnO_3n+3+x表示的组成，在结晶构造内具有(L-O)₂层的层状钙钛矿型氧化物、和夹持着上述氧化物并与上述氧化物连接形成的一对强磁性体，

其中A表示从Ca、Sr和Ba中至少选出的1种元素、L表示从Bi、Tl和Pb中至少选出的1种元素、M表示从Ti、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、Fe和Cr中选出的至少1种元素、R表示稀土类元素，n为1，2或3，X，Z分别为-1≤x≤1，0≤z≤1中的值。

2、根据权利要求1记载的磁阻效应型元件，其特征是上述一对强磁性体中的至少一个是由钙钛矿型氧化物形成，进一步含有与由上述钙钛矿型氧化物形成的强磁性体连接形成的氧化物电极体。

3、根据权利要求2记载的磁阻效应元件，其特征是由钙钛矿型氧化物形成的强磁性体，具有以式((R_1-pL_p)_1-yA_y)_mMO_m+2-d表示的组成，其中A、L、M、R分别表示和上述相同的元素，m为1或2、d、p、y分别表示0≤d≤1、0≤p≤1、0≤y≤1中的值。

4、根据权利要求3记载的磁阻效应型元件，其特征是p为由0＜p≤1表示范围内的值。

5、根据权利要求4记载的磁阻效应型元件，其特征是由钙钛矿型氧化物形成的强磁性体和层状钙钛矿型氧化物，作为元素L，含有同一种类的元素。

6、根据权利要求3记载的磁阻效应型元件，其特征是0.05≤y≤0.55，而且0.05≤1-z≤0.55。

7、根据权利要求3记载的磁阻效应型元件，其特征是成立0.8(1-z)≤y≤1.2(1-z)的关系。

8、根据权利要求2记载的磁阻效应型元件，其特征是氧化物电极体由钙钛矿型氧化物形成。

9、根据权利要求8记载的磁阻效应型元件，其特征是由钙钛矿型氧化物形成的氧化物电极体具有以式(A_1-yR_y)_j(X_1-rT_r)O_j+2-q表示。

其中，A、B表示与上述相同的元素、T是和在与上述氧化物电极体连接的强磁性体中所含元素M同种类的元素，X表示从Ti、V、Cu、Ru、Ni和Cr中选出的至少1种元素(其中，除上述T外)，j为1或2，q、r、v分别由0≤q≤1、0≤r≤1、0≤v≤1表示范围内的值。

10、根据权利要求9记载的磁阻效应型元件，其特征是0＜r≤1。

11、根据权利要求1记载的磁阻效应型元件，其特征是一对强磁性体中的一个由钙钛矿型氧化物形成，另一一个是金属强磁性体。

12、根据权利要求11记载的磁阻效应型元件，其特征是金属强磁性体含有以式Ni_xCo_yFe_z表示的强磁性体，

其中，x、y、z为满足以①和②中任一个，和x+y+z＝1的确定数值，

①0.6≤x≤0.9、0≤y≤0.4、0≤z≤0.3

②0≤x≤0.4、0.2≤y≤0.95、0≤z≤0.5。

13、根据权利要求11记载的磁阻效应型元件，其特征是金属强磁性体含有ZMnSb合金强磁性体，其中，Z为Ni、Pt和Pd中的至少1种元素。

14、根据权利要求1记载的磁阻效应型元件，其特征是一对强磁性体的矫顽力大小彼此不同。

15、根据权利要求1记载的磁阻效应型元件，其特征是一对强磁性体的厚度彼此不同。

16、根据权利要求1记载的磁阻效应型元件，其特征是进一步含有与一对强磁性体中任一个连接形成的反强磁性体。

17、根据权利要求16记载的磁阻效应型元件，其特征是反强磁性体和与反强磁性体连接的强磁性体都是由钙钛矿型氧化物形成。