[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1、半导体发光器件，其特征为，它备有

一个半导体发光元件，包含通过电流注入发射第一波长的光的有源区，

至少一个半导体叠层体，包括结合到上述半导体发光元件上，利用上述第一波长的光激发并发射第二波长的光的发光层，

上述第一波长的光与上述第二波长的光混合后输出。

2、如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征为，上述有源区为GaN系有源区，上述发光层为InGaAlP系发光层。

3、如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征为，上述有源区为发射蓝光的GaN系有源区，上述发光层为利用从上述有源区发出的蓝光激发发射黄光的InGaAlP系发光层。

4、如权利要求1所述的半导体发光器件，其特征为，上述半导体叠层体具有：利用上述第一波长的光进行激发发射上述第二波长的光的第一发光层和由上述第一波长的光及上述第二波长的光激发发射第三波长的光的第二发光层。

5、如权利要求4所述的半导体发光器件，其特征为，上述有源区为发射蓝光的GaN系有源区，

上述第一发光层为由从上述有源区发出的蓝光激发并发射绿色光的第一个InGaAlP系发光层，

上述第二发光层，为由上述蓝色发射光和绿色发射光激发后发射红色光的第二个InGaAlP发光层。

6、如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征为，上述发光层为InAlP/InGaAlP多层膜的发光层。

7、如权利要求6所述的半导体发光器件，其特征为，上述半导体叠层体具有将上述发光层夹持在InGaAlP系包层与GaAs衬底之间的结构，上述半导体叠层体的上述InGaAlP系包层侧结合到与上述半导体发光元件的光提取面对向的面上。

8、如权利要求6所述的半导体发光器件，其特征为，上述半导体叠层体具有将发光层夹持在InGaAlP系包层与保护膜之间的结构，上述半导体叠层体的上述InGaAlP系包层侧结合到上述半导体发光元件上。

9、如权利要求6所述的半导体发光器件，其特征为，上述半导体叠层体具有将上述发光层夹持在InGaAlP系包层与相对于从上述发光层发射的第二波长的光有透光性的衬底之间的结构，上述半导体叠层体的上述InGaAlP系包层侧结合到上述半导体发光元件上。

10、如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征为，上述有源区为GaN/InGaN多量子阱结构的有源区。

11、如权利要求2所述的半导体发光器件，其特征为，上述半导体发光元件备有：具有相互对向的第一面和第二面的衬底，形成于上述衬底的第一面上的缓冲层，形成于上述缓冲层上的第一导电型GaN系包层，形成于上述第一导电型GaN系包层上的有源区，形成于上述有源区上的第二导电型GaN系包层。

12、如权利要求11所述的半导体发光器件，其特征为，上述半导体发光元件备有：具有相互对向的第一及第二面的蓝宝石衬底，形成于上述蓝宝石衬底的第一面上的缓冲层，形成于上述缓冲层上的n型GaN系包层，形成于上述n型GaN系包层上的有源区，形成于上述有源区上的p型GaN系包层，形成于上述p型GaN系包层上的p型GaN系接触层，形成于上述p型GaN系接触层上的p侧电极，形成于通过腐蚀露出的上述n型GaN系包层上的n侧电极。

13、如权利要求11所述的半导体发光器件，其特征为，上述半导体发光元件备有：具有相互对向的第一和第二面的n型半导体衬底，形成于上述衬底的第一面上的缓冲层，形成于上述缓冲层上的n型GaN系包层，形成于上述n型GaN系包层上的有源区，形成于上述有源区上的p型GaN系包层，形成于上述p型GaN系包层上的P型GaN接触层，形成于上述p型GaN系接触层上的透明的p侧电极，其结构为，从上述p型GaN系接触层侧提取光，

上述半导体叠层体备有：具有相互对向的第一及第二面的n型GaAs衬底，形成于上述n型GaAs衬底的第一面上的n型InAlP/InGaAlP多层膜的发光层，形成于上述发光层上的n型InGaAlP系包层，形成于上述n型GaAs衬底的上述第二面上的n侧电极，

上述半导体叠层体的上述n型InGaAlP系包层结合到上述半导体发光元件的上述n型半导体衬底的上述第二面上。