[发明专利]存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器及其工作方法无效
| 申请号： | 01122144.5 | 申请日： | 2001-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN1337711A | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | P·佩赫米勒 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C8/00;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 单元 具有 磁阻 效应 集成 存储器 及其 工作 方法 | ||
1.其存储单元(MC)具有磁阻存储效应的集成存储器，所述的存储单元分别被连接在多个列线(BL0～BLn)中的一个与多个行线(WL0～WLm)中的一个之间，
其特征在于：
-所述的行线(WL0～WLm)与一个选择电路(2)相连，
-为了读取与所述行线(WL2)相连的存储单元(MC2)的数据信号(DA)，所述行线之一(WI2)可以在所述选择电路(2)内与选择信号(GND)的端子相连，
-如此地构造和通过控制装置(4)控制所述的选择电路(2)，使得所述不与存储单元(MC2)相连的行线(WL0，WL1，WLm)在所述选择电路(2)内被电隔离开，以便读取所述的数据信号(DA)。
2.如权利要求1所述的集成存储器，其特征在于：
所述的行线(WL0～WLm)每次被连接在驱动电路(11～13)上，而所述驱动电路可以工作在导通状态或非导通状态。
3.如权利要求1或2所述的集成存储器，其特征在于：
所述的集成存储器具有至少一个预充电装置(3)，用于把所述的行线(WL0～WLm)预充电到一个公共的预充电电位(V2)。
4.如权利要求3所述的集成存储器，其特征在于：
所述的预充电装置(3)被连接在所述列线(BL0～BLn)中的至少一个上，以便对所述的行线(WL0～WLm)进行预充电。
5.如权利要求4所述的集成存储器，其特征在于：
为了读取所述的数据信号(DA)，与所述存储单元(MC2)相连的列线(BL0)被连接到读放大器(3)上，而且所述的预充电装置由所述的读放大器(3)构成。
6.其存储单元(MC)具有磁阻存储效应的集成存储器的工作方法，所述的存储单元分别被连接在多个列线(BL0～BLn)中的一个与多个行线(WL0～WLm)中的一个之间，
其特征在于：
-在读取过程中，所述行线之一(WL2)在选择电路(2)内被连接到选择信号(GND)的端子上，并读取与所述行线(WL2)相连的存储单元(MC2)的数据信号(DA)，
-在所述的读取过程中，在选择电路(2)内电隔离掉与所述存储单元(MC2)不相连的行线(WL0，WL1，WLm)。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：
所述的行线(WL0～WLm)被预充电到一个公共的预充电电位(V2)，并在所述的预充电之后读取所述的数据信号(DA)。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：
所述数据信号(DA)的读取需要等待，直到所述行线(WL0～WLm)的相应电位变化表现为静态。
9.如权利要求7或8所述的方法，其特征在于：
所述的行线(WL0～WLm)通过至少一个列线(BL0～BLn)进行预充电。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于：
所述的列线(BL0～BLn)之一通过所述的读放大器(3)进行预充电。
11.如权利要求6～9之一所述的方法，其特征在于：
为了读取所述的数据信号(DA)，对与所述存储单元(MC2)相连的列线(BL0)上的电流(IS)进行检测。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于因芬尼昂技术股份公司，未经因芬尼昂技术股份公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/01122144.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
