[发明专利]存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器

权利要求书

1.一种集成存储器，

-具有一些带有磁阻存储效应的存储单元(MC)，所述的存储单元分别被连接在多个列线(BL0～BLn)中的一个与多个行线(WL0～WLm)中的一个之间，

-其中，所述的列线(BL0～BLn)和读放大器(3)相连，

-其中，所述的行线(WL0～WLm)均可以与选择信号(GND)的端子相连，以便通过与所选存储单元(MC3)相连的列线(BL2)读取所选存储单元之一(MC3)的数据信号(DA)，或向所选存储单元之一(MC3)写入数据信号(DA)，

其特征在于：

如此地构造和通过控制装置(4)控制所述的读放大器(3)，使得至少一个不与所选存储单元(MC3)相连的、而与至少一个故障存储单元(MC2)相连的列线(BL0)在读放大器(3)内被电隔离开，以便读取或写入数据信号(DA)，其中所述的故障存储单元在所述的行线(WL2)和列线(BL0)之一之间引起了短路(KS)。

2.如权利要求1所述的集成存储器，其特征在于：

所述的列线(BL0～BLn)被连接在相应的驱动电路(30～3n)上，而所述驱动电路可以工作在导通状态或非导通状态。

3.如权利要求2所述的集成存储器，其特征在于：

所述相应的驱动电路(30～3n)分配了存储单元(40～4n)，所述驱动电路(30～3n)可以由该存储单元进行控制。

4.如权利要求3所述的集成存储器，其特征在于：

所述的存储单元(40～4n)具有至少一个电可编程的、或通过能量辐射进行编程的元件(50)。

5.如权利要求1～4之一所述的集成存储器，其特征在于：

所述的集成存储器具有至少一个冗余列线(RBL)，用于替代所述列线(BL0～BLn)中的一个。