[发明专利]化学机械抛光用淤浆及其形成方法和半导体器件制造方法

权利要求书

1.CMP用淤浆，它包括：液体；包含于此液体中的多种研磨粒子，此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子，而所述有机粒子与无机粒子通过热结合而一体化。

2.权利要求1所述的CMP用淤浆，其中所述研磨粒子包含一种有机粒子和多种无机粒子。

3.权利要求1所述的CMP用淤浆，其中所述无机粒子具有氧化作用。

4.权利要求3所述的CMP用淤浆，其中所述无机粒子包括二氧化锰与二氧化铈二者中的至少一种。

5.权利要求1所述的CMP用淤浆，其中还含有氧化剂，而且所述无机粒子具有促进前述氧化剂分解的催化剂作用。

6.权利要求5所述的CMP用淤浆，其中所述无机粒子包含有铁、银、钌与钛之中的至少一种。

7.权利要求5所述的CMP用淤浆，其中包含有权利要求3所述的无机粒子和权利要求5所述的无机粒子。

8.权利要求7所述的CMP用淤浆，其中包含有权利要求4所述的无机粒子和权利要求6所述的无机粒子。

9.权利要求1所述的CMP用淤浆，其中所述有机粒子所用材料包含从丙烯酸树脂、酚醛树脂、尿素树脂、密胺树脂、聚苯乙烯树脂、聚缩醛树脂与聚碳酸酯树脂组成的材料组中所选出的一种。

10.权利要求1所述的CMP用淤浆，其中所述无机粒子与有机粒子的一次粒子粒度为5～1000nm。

11.CMP用淤浆的形成方法，它包括：将多种有机粒子与多种无机粒子于粉体状态下混合，而且利用机械融合现象将上述多种有机粒子中的至少一种以上与上述多种有机粒子中的至少一种以上一体化，形成多种研磨粒子；将这多种研磨粒子添加到液体中。

12.权利要求11所述CMP用淤浆的形成方法，其中在形成所述多种研磨粒子后，将这多种研磨粒子与前述多种有机粒子于粉体状态下混合，而且利用机械融合现象，将这多种研磨粒子的至少一种以上与前述多种有机粒子的至少一种以上一体化得到的多种研磨粒子加到上述液体中。

13.权利要求11所述CMP用淤浆的形成方法，其中在上述溶液中还添加氧化剂。

14.权利要求13所述CMP用淤浆的形成方法，上述氧化剂是过氧化氢、过氧化硫酸铵、过硫酸铵、磷酸、硝酸与硝酸铵中的至少一种。

15.半导体器件的制造方法，它包括：于衬底上形成导电膜；由CMP用淤浆研磨所述导电膜，而此CMP用淤浆包括：液体；包含于此液体中的多种研磨粒子，此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子，而所述有机粒子与无机粒子通过热结合而一体化。

16.权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其中所述衬底包括半导过滤器和于此半导过滤器上形成的在表面上形成有配线沟的绝缘膜，而为了埋入上述配线沟于所述绝缘膜上形成前述导电膜，同时为了除去此配线沟外的所述导电膜而研磨所述导电膜。

17.权利要求16所述的半导体器件的制造方法，其中所述导电膜是由下述材料中的至少一种构成：从Cu、Al、W、Ti、Mo、Nb、Ta、Ag、V、Ru与Pt所组成的元素组中选择的金属；从这组元素中选取的至少一种元素为主要成分的合金；以上述元素为主要成份的氮化物；以上述元素为主要成份的硼化物；以上述元素为主要成分的氧化物以及以上述元素为主要成份的混合物。

18.权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其中所述研磨粒子包含一种有机粒子和多种无机粒子。

19.权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其中所述无机粒子具有氧化作用。

20.权利要求15所述的半导体器件的制造方法，其中所述无机粒子包括二氧化锰与二氧化铈两者中的至少一种。