[发明专利]制作动态随机存取存储器的下层存储结的方法

权利要求书

1.一种在一半导体晶片(wafer)上制作一动态随机存取存储器(dynamicrandom access memory，DRAM)的下层存储结(storage node)的方法，该半导体晶片包括一基板(substrate)，一薄膜层设置在该基板表面上，以及一光致抗蚀剂(photo resist)层设置在该薄膜层表面上，包括：

进行一第一曝光(exposure)工艺，用以在该光致抗蚀剂层上形成多条彼此平行的第一曝光区域；

进行一第二曝光工艺，用以在该光致抗蚀剂层上形成一棋盘状垂直交错的第二曝光区域；

对该光致抗蚀剂层上的该第一曝光区域和该第二曝光区域进行一显影(development)工艺；

除去该第一曝光区域以及该第二曝光区域部分的该光致抗蚀剂层，用以在该薄膜层表面形成一阵列状光致抗蚀剂层；以及

利用该阵列状光致抗蚀剂层作为一掩模进行一刻蚀工艺，除去未被该阵列状光致抗蚀剂层覆盖部分的薄膜层，用以形成一阵列状薄膜层，用来作为DRAM的下层存储结。

2.根据权利要求1的方法，其中，该方法用来避免该光致抗蚀剂层上的图案发生转角圆角化(rounding corner)效应以及避免该光致抗蚀剂层上的图案尺寸缩小化(end-of-line shortening)等光学邻近效应(optical proximityeffect)。

3.一种避免一光刻工艺产生光学近邻效应的方法，该光刻工艺用以在半导体晶片上构图一阵列光致抗蚀剂图案，该半导体晶片包括一基板，以及一光致抗蚀剂层设置在该基板表面上，包括：

进行一第一曝光工艺，用以在该光致抗蚀剂层上形成多条彼此平行的第一曝光区域图案；

进行一第二曝光工艺，用以在该光致抗蚀剂层上形成一棋盘状垂直交错的第二曝光区域图案；以及

进行一显影工艺，使该半导体晶片上的光致抗蚀剂层被构图出该阵列光致抗蚀剂图案。

4.根据权利要求3的方法，其中，该半导体晶片用来制造一动态随机存取存储器(DRAM)，而该阵列光致抗蚀剂图案则用来构图该DRAM的下层存储结的位置。

5.根据权利要求3的方法，其中，该光学近邻效应包括图案转角圆角化(rounding cornet)效应以及图案尺寸缩小化(end-of-line shortening)等。

6.一种在一半导体晶片(wafer)上制作一动态随机存取存储器(DRAM)的下层存储结(storage node)的方法，该半导体晶片包括一基板(substrate)，一薄膜层设置在该基板表面上，以及一光致抗蚀剂(photo resist)层设置在该薄膜层表面上，包括：

进行一第一曝光(exposure)工艺，用以在该光致抗蚀剂层上形成多条彼此平行的未曝光区域；

进行一第二曝光工艺，用以在各该未曝光区域中分别形成多个不相连接的曝光区域；

对该光致抗蚀剂层进行一显影(development)工艺，用以在该薄膜层表面形成一阵列状光致抗蚀剂层；以及

利用该阵列状光致抗蚀剂层作为一掩模进行一刻蚀工艺，除去未被该阵列状光致抗蚀剂层覆盖部分的薄膜层，用以形成一阵列状薄膜层，用来作为DRAM的下层存储结。