[发明专利]有源矩阵基片、显示装置及制造有源矩阵基片的方法

权利要求书

1.一种有源矩阵基片，包括：

源极和漏极，它们提供于绝缘基片上而且彼此分开；

沉积在所述源极和漏极上的半导体层；

沉积在所述半导体层上的栅绝缘膜；

沉积在所述栅绝缘膜上的栅极；以及

具有第1和第2部分的透明导体层，该第1部分沉积在所述栅极上，从而其图案基本上与所述栅极的图案相同，而第2部分包括一个或者沉积在所述源极部分上或者沉积在所述漏极上的部分。

2.根据权利要求1的有源矩阵基片，

所述有源矩阵基片进一步包括：

与或者是所述源极或者是所述漏极相连的数据线，

其中所述栅绝缘膜的另一部分沉积在所述数据线上。

3.根据权利要求1的有源矩阵基片，这里所述透明导体层的第2部分构成像素电极，从而或者与所述源极或者与所述漏极相连。

4.一种有源矩阵基片，包括：

沉积在绝缘基片上的栅极；

沉积在所述栅极上的栅绝缘膜；

沉积在所述栅绝缘膜上的半导体层；

沉积在所述半导体层上的源极和漏极；以及

透明导体层，它包括沉积在所述源极和漏极上的部分，该部分的图案与所述源极和漏极的图案基本相同。所述透明导体层或者是与所述源极相连或者是与所述漏极相连，并构成像素电极。

5.根据权利要求4的有源矩阵基片，

所述有源矩阵基片进一步包含：

与所述栅极相连的栅连线，

这里所述栅绝缘膜的另一部分沉积在所述栅连线上。

6.根据权利要求4的有源矩阵基片，

所述有源矩阵基片进一步包含：

或者与所述源极或者与所述漏极相连的数据线，

其中所述透明导体层的构成包括沉积在所述数据线上的部分，其图案与所述数据线的图案基本相同。

7.一种有源矩阵基片，包含：

沉积在绝缘基片上的栅极；

沉积在所述栅极上的栅绝缘膜；

沉积在所述栅绝缘膜上的半导体层；

沉积在所述半导体层上的源极和漏极；以及

沉积在所述源极和漏极上的ITO膜，以包括所具有的图案与所述源极和漏极的图案基本相同的一部分。

8.一种显示装置，包括：

在绝缘基片上形成的薄膜晶体管结构；

与所述薄膜晶体管结构的所述源极或者所述漏极相连的像素电极；

与所述薄膜晶体管结构的所述源极或者所述漏极相连的数据线；以及

与所述薄膜晶体管结构的栅极相连的栅连线，

其中所述薄膜晶体管结构的所述源极、漏极和栅极中的上电极的上表面被ITO膜覆盖，而或者所述数据线或者所述栅连线的上表面由一栅绝缘膜覆盖。

9.根据权利要求8的显示装置，这里所述ITO膜是在形成-ITO膜以构成所述像素电极的同一步骤中形成的。

10.根据权利要求8的显示装置，进一步包括：

用所述绝缘基片填充的液晶层，

这里与所述液晶层接触的所述上电极、所述数据线和所述栅连线的上表面或者被所述ITO膜或者被所述栅绝缘膜覆盖。

11.一种制造有源矩阵基片的方法，在该有源矩阵基片中的源极、漏极、半导体层、栅绝缘膜和栅极直接或间接地顺序沉积在绝缘基片上，该方法包括如下步骤：

使用抗蚀剂掩膜对所述栅绝缘膜上沉积的栅金属形成图案；

使用所述形成图案的栅金属作为掩膜对所述栅绝缘膜和所述半导体层形成图案；

形成ITO膜并使用抗蚀剂掩膜对该ITO膜形成图案；以及

使用所述形成图案的ITO膜作为掩膜对所述栅极形成图案。

12.根据权利要求11的方法，这里对所述ITO膜形成图案的步骤包括：在考虑所述栅极图案的情况下对所述ITO膜形成图案以及形成像素图案的步骤。

13.根据权利要求12的方法，这里对所述ITO膜形成图案的步骤包括：在考虑与所述栅极相连的栅连线图案的情况下对所述ITO膜形成图案的步骤。