[发明专利]光元件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种光元件的制造方法，其特征在于，具有下述步骤：

在具备光学部和与上述光学部导电性地连接的电极的半导体元件上形成贯通孔；以及

形成导电层，该导电层从形成了上述半导体元件的上述光学部的一侧的第1面延伸到与上述第1面相对的第2面，且包含上述贯通孔的内壁面。

2.如权利要求1中所述的光元件的制造方法，其特征在于，还具有下述步骤：

在上述半导体元件的上述第2面上形成与上述导电层导电性地连接的外部电极。

3.如权利要求1中所述的光元件的制造方法，其特征在于：

在上述半导体元件的上述第2面上形成了应力缓和层后，在上述应力缓和层上形成上述导电层。

4.如权利要求2中所述的光元件的制造方法，其特征在于：

在上述半导体元件的上述第2面上形成了应力缓和层后，在上述应力缓和层上形成上述导电层，在上述第2面中的与上述应力缓和层对应的位置上形成上述外部电极。

5.如权利要求1中所述的光元件的制造方法，其特征在于：

上述半导体元件是从半导体晶片切割下来的半导体芯片。

6.如权利要求1中所述的光元件的制造方法，其特征在于：

上述半导体元件是半导体晶片的一部分，

还具有将上述半导体晶片切割成各个上述半导体元件的步骤。

7.如权利要求1至权利要求6的任一项中所述的光元件的制造方法，其特征在于，还具有下述步骤：

在形成了上述导电层后，在上述第1面一侧设置光透过性构件。

8.如权利要求5中所述的光元件的制造方法，其特征在于：

还具有在形成了上述导电层后在上述第1面一侧设置光透过性构件的步骤，

上述光透过性构件的形状与上述半导体芯片的形状大致相同。

9.如权利要求6中所述的光元件的制造方法，其特征在于：

还具有在形成了上述导电层后在上述第1面一侧设置光透过性构件的步骤，

上述光透过性构件的形状与上述半导体晶片的形状大致相同。

10.如权利要求6中所述的光元件的制造方法，其特征在于：

还具有在形成了上述导电层后在上述第1面一侧设置光透过性构件的步骤，

上述光透过性构件的形状与上述半导体晶片的各个上述半导体元件的形状大致相同，通过对上述半导体晶片的各个上述半导体元件进行电特性检查来进行合格品部分的判定，在被判定为上述合格品部分的任一上述半导体元件上设置上述光透过性构件。

11.如权利要求10中所述的光元件的制造方法，其特征在于：

在将上述半导体晶片切割成各个上述半导体元件后，设置上述光透过性构件。

12.如权利要求8至权利要求11的任一项中所述的光元件的制造方法，其特征在于：

上述光透过性构件是光学玻璃。

13.如权利要求1至6、8、9、10、11的任一项中所述的光元件的制造方法，其特征在于：

还具有在上述第1面一侧设置滤色器的步骤。

14.如权利要求1至6、8、9、10、11的任一项中所述的光元件的制造方法，其特征在于：

还具有在形成了上述导电层后在上述第1面一侧设置微透镜的步骤。

15.一种光元件，由具有光学部和与上述光学部导电性地连接的电极的半导体芯片构成，其特征在于：

上述半导体芯片具有贯通孔和导电层，上述导电层从形成了上述光学部的一侧的第1面延伸到与上述第1面相对的第2面、且包含上述贯通孔的内壁面而被形成。

16.如权利要求15中所述的光元件，其特征在于：

还具有在上述半导体芯片的上述第2面上形成的、与上述导电层导电性地连接的外部电极。

17.如权利要求15中所述的光元件，其特征在于：

还具有在上述半导体芯片的上述第2面上形成的应力缓和层，

在上述应力缓和层上形成上述导电层。