[发明专利]具备高集成化的存储器阵列的薄膜磁性体存储器

权利要求书

1.一种薄膜磁性体存储器，其特征在于：

具备具有配置成行列状的多个磁性体存储单元(MC)的存储器阵列(10)，上述多个磁性体存储单元的每一个包括：

磁存储部(MTJ)，其电阻值根据由第1和第2数据写入电流(±Iw，Ip)写入的存储数据的电平而变化，

存储单元选择门(ATR)，用来在数据读出时使数据读出电流(Is)通过上述磁存储部；

多条读出字线(RWL)，与上述磁性体存储单元的行对应地设置，用来在上述数据读出时根据行选择结果使对应的上述存储单元选择门工作；

多条数据线(BL)，与上述磁性体存储单元的列对应地设置，用来在数据写入时和上述数据读出时分别流过上述第1数据写入电流和上述数据读出电流；

多条写入字线(WWL)，与上述行对应地设置，为了在上述数据写入时流过上述第2数据写入电流，根据行选择结果有选择地被激活；以及

多条基准电压布线(SL)，与上述行和上述列的某一个对应地设置，用来供给在上述数据读出时使用的基准电压，

其中，邻接的上述磁性体存储单元共有上述多条写入字线、上述多条读出字线、上述多条数据线和上述多条基准电压布线中的至少1个中的对应的1条。

2.如权利要求1中所述的薄膜磁性体存储器，其特征在于：

上述多条数据线(BL)中的各2条在上述数据读出时和数据写入时构成数据线对(BLP)，

由相同的上述读出字线(RWL)和相同的上述写入字线(WWL)分别选择的多个上述磁性体存储单元(MC)分别与构成上述数据线对的2条数据线的各一方连接，

将上述数据读出电流(Is)供给构成与列选择结果对应的上述数据线对的2条数据线(BL，/BL)的每一条，

将上述第1数据写入电流(±Iw)作为方向彼此相反的电流供给上述2条数据线的每一条。

3.一种薄膜磁性体存储器，其特征在于：

具备具有配置成行列状的多个磁性体存储单元(MC)的存储器阵列(10)，上述多个磁性体存储单元的每一个包括：

磁存储部(MTJ)，其电阻值根据由第1和第2数据写入电流(±Iw，Ip)写入的存储数据的电平而变化，

存储单元选择门(ATR)，用来在数据读出时使数据读出电流(Is)通过上述磁存储部；

多条读出字线(RWL)，与上述磁性体存储单元的行对应地设置，用来在上述数据读出时根据行选择结果使对应的上述存储单元选择门工作；

多条数据线(BL)，与上述磁性体存储单元的列对应地设置，用来在数据写入时和上述数据读出时分别流过上述第1数据写入电流和上述数据读出电流；

多条写入字线(WWL)，与上述行对应地设置，为了在上述数据写入时流过上述第2数据写入电流，根据行选择结果有选择地被激活；以及

字线电流控制电路(40)，用来结合在数据读出中使用的基准电压(Vss)与上述多条写入字线，

其中，邻接的上述磁性体存储单元共有上述多条写入字线、上述多条读出字线和上述多条数据线中的至少1个中的对应的1条。

4.如权利要求3中所述的薄膜磁性体存储器，其特征在于：

上述邻接的磁性体存储单元(MC)共有对应的上述写入字线(WWL)和上述数据线(BL)中的被配置得离上述磁存储部(MTJ)较远的一方，

上述写入字线和上述数据线中的上述一方具有比对应的上述写入字线和上述数据线中的另一方大的剖面面积。

5.如权利要求3中所述的薄膜磁性体存储器，其特征在于：

各上述写入字线(WWL)和上述数据线(BL)中的被配置得离上述磁存储部(MTJ)较远的一方由抗电迁移的性能比上述写入字线和上述数据线中的另一方好的材料来形成。

6.如权利要求3中所述的薄膜磁性体存储器，其特征在于：

在列方向上邻接的上述磁性体存储单元共有上述多条写入字线(WWL)中的对应的1条，

上述多条数据线(BL)中的各2条在上述数据读出时构成数据线对(BLP)，

由相同的上述读出字线(RWL)选择的多个上述磁性体存储单元(MC)分别与构成上述数据线对的2条数据线的各一方连接，

将上述数据读出电流供给构成与列选择结果对应的上述数据线对的2条数据线(BL，/BL)的每一条。